Мікросхеми
Мікросхема FSB117H ( B117H ) , DIP8
В наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер із SenseFET (Fairchild Power Switch, mWSaver) |
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Напруга BVDSS | 700 В (ID=250 мкА, VGS=0 В, 25 °C, min) |
| Частота перетворення | 100 кГц (94–106 кГц, VDD=15 В, 25 °C) |
| Макс. напруга VDD | 30 В |
| VDD-ON / VDD-OFF | 12 В / 6 В (25 °C) |
| Споживання без навантаження | менше 40 мВт (230 В AC) |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема FSB127H ( B127H ) оригінал, DIP8
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Тип | ШІМ-контролер із вбудованим польовим ключем |
| BVDSS | 700 В (ID = 250 мкА, VGS = 0 В) |
| RDS(on) | 6,0 Ом (VGS = 10 В, ID = 0,5 А, typ) |
| IDM | 8,0 А |
| Вихідна потужність (адаптер) | 14 Вт (230 В AC ±15 %) |
| Вихідна потужність (відкрита конструкція) | 20 Вт (230 В AC ±15 %) |
| Поріг обмеження струму | 1,00 А |
| Частота перетворення | 100 кГц |
| Поріг запуску VDD | 12 В |
| Поріг вимкнення VDD | 6 В |
| Максимальна напруга VDD | 30 В |
| Потужність розсіювання | 1,5 Вт (TA < 50 °C) |
| Температура | –40…105 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема FSD200 демонтаж, DIP7
В наявності
49,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер із SenseFET (Green Mode Fairchild Power Switch) |
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Напруга BVDSS | 700 В (VCC=0 В, ID=100 мкА, Ta 25 °C, min) |
| RDS(on) | 28 Ом тип. / 32 Ом макс. (Tj 25 °C, ID=25 мА) |
| Частота перетворення | 134 кГц (126–142 кГц, Tj 25 °C) |
| Макс. напруга VCC | 10 В |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема FSD210 оригінал, DIP7 ( заміна для TDA865 )
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | DIP7 |
| Напруга стік–витік (мін.) | 700 В (VCC = 0 В, ID = 100 мкА) |
| Rds(on) | 28 Ом, макс. 32 Ом (Tj = 25 °C, ID = 25 мА) |
| Частота перетворення | 134 кГц (Tj = 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 65 % (Vfb = 3,5 В) |
| Піковий струм обмеження | 0,32 А |
| Макс. напруга живлення | 20 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робочий діапазон температур | від –25 до +85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема FSD210 оригінал, smd 7-LSOP
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер із SenseFET (Green Mode Fairchild Power Switch) |
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Напруга BVDSS | 700 В (VCC=0 В, ID=100 мкА, Ta 25 °C, min) |
| RDS(on) | 28 Ом тип. / 32 Ом макс. (Tj 25 °C, ID=25 мА) |
| Частота перетворення | 134 кГц (126–142 кГц, Tj 25 °C) |
| Макс. напруга VCC | 20 В |
| Корпус | smd 7-LSOP |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема FSFR1700XC оригінал
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | 9-SIP |
| Напруга Vds (BVDSS) | 500 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 6,0 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 3,9 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 20 А |
| Опір Rds(on), макс. | 1,25 Ом (Vgs 10 В, Id 2,0 А; тип. 1,00 Ом) |
| Час відновлення діода trr | 160 нс (Vgs 0 В, Idiode 6,0 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Розсіювана потужність Pd | 11,6 Вт (на один MOSFET, коли відкриті обидва) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Мертвий час | 350 нс |
| Макс. робоча частота | 300 кГц |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема FSFR1700XSL оригінал
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | 9-SIP (L-forming) |
| Напруга Vds (BVDSS) | 500 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 6,0 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 3,9 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 20 А |
| Опір Rds(on), макс. | 1,25 Ом (Vgs 10 В, Id 2,0 А; тип. 1,00 Ом) |
| Час відновлення діода trr | 160 нс (Vgs 0 В, Idiode 6,0 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Розсіювана потужність Pd | 11,6 Вт (на один MOSFET, коли відкриті обидва) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Мертвий час | 350 нс |
| Макс. робоча частота | 300 кГц |
| Частота генератора | 94–106 кГц (RT 5,2 кОм; тип. 100) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема FSFR1800US ( FSFR1800 )
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | 9-SIP |
| Напруга Vds (BVDSS) | 500 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 7,0 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 4,5 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 23 А |
| Опір Rds(on), макс. | 0,95 Ом (Vgs 10 В, Id 3,0 А; тип. 0,77 Ом) |
| Час відновлення діода trr | 160 нс (Vgs 0 В, Idiode 7,0 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Розсіювана потужність Pd | 11,7 Вт (на один MOSFET, коли відкриті обидва) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Мертвий час | 350 нс |
| Макс. робоча частота | 300 кГц |
| Вихідна потужність без радіатора / з радіатором | 120 / 260 Вт (Vin 350–400 В, відкрита конструкція, 50 °C) |
Мікросхема FSFR1800XSL
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | 9-SIP |
| Напруга BVDSS | 500 В |
| Id при TC 25 °C | 7,0 А |
| Id при TC 100 °C | 4,5 А |
| Idm | 23 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 3,0 А | 0,77 Ом тип. / 0,95 Ом макс. |
| Робоча частота | до 300 кГц |
| Мертвий час | 350 нс |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
Демонтаж
Мікросхема FSFR2100XSL демонтаж ( FSFR2100 , FSFA2100 )
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | 9-SIP (L-forming) |
| Напруга Vds (MOSFET) | 500 В (мінімум, BVDSS) |
| Струм стоку Id | 10.5 А (Tc 25 °C, постійний) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 32 А |
| Опір Rds(on) | 0.51 Ом (максимум; типове 0.41 Ом) |
| Розсіювана потужність Pd | 12 Вт (на один MOSFET, коли відкриті обидва) |
| Частота генератора | 94–106 кГц (RT 5.2 кОм) |
| Пауза між ключами | 350 нс |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема FSL136MR демонтаж ( FSL136MRS ) , DIP8
В наявності
77,08 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга Vds (BVDSS) | 650 В (Vcc 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 3 А (гранично допустимий) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 12 А |
| Опір Rds(on) | 3.5 Ом типове, макс. 4.0 Ом (Vgs 10 В, Tc 25 °C) |
| Частота перемикання | 67 кГц (типово 61–73 кГц) |
| Пік-струм обмеження | 2.15 А (Tj 25 °C, типово) |
| Пороги UVLO (старт / стоп) | 12 / 8 В |
| Макс. напруга живлення Vcc | 26 В |
| Розсіювана потужність Pd | 1.5 Вт |
| Робоча температура | -40…+105 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема FSL206MR ( L206MRB ) , DIP
В наявності
42,77 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | 8-DIP (PDIP8) для FSL206MRN / FSL206MRBN |
| Напруга Vds (BVDSS) | 650 В (Vcc 0 В, Id 250 мкА) |
| Опір Rds(on) | 14 Ом типове, макс. 19 Ом (Vgs 10 В, Id 0.3 А) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 1.5 А |
| Пік-струм обмеження | 0.6 А (Vfb 4 В, Vcc 10 В, типово 0.54–0.66 А) |
| Частота перемикання | 67 кГц (типово 61–73 кГц) |
| Пороги UVLO (старт / стоп) | 8 / 7 В |
| Напруга внутрішнього регулятора | 7.8 В |
| Робоча температура | -40…+115 °C |
Мікросхема FSQ0365R ( Q0365R ) оригінал ( заміна для FSQ0265R , Q0265R ), DIP8
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | ШІМ-контролер зі вбудованим ключем |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга Vds | 650 В (Vcc 0 В, Id 100 мкА) |
| Rds(on) | не більше 4.5 Ом |
| Пік-струм обмеження | 1.5 А (Tj 25 °C, типово) |
| Імпульсний струм Idm | 12 А (граничний) |
| Напруга живлення Vcc | до 20 В (граничне) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема FSQ0370R ( Q0370R , Q0370RA , FSQ0370RA ) , DIP8
В наявності
94,94 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга SenseFET (BVDSS) | 700 В |
| Робоча частота | 100 кГц (92–108 кГц, TA 25 °C) |
| Rds(on) | 4,0 Ом (макс. 4,75 Ом) при VGS 10 В, ID 0,5 А |
| Піковий струм обмеження | 1,10 А (0,97–1,23 А) |
| Макс. напруга живлення Vcc | 20 В |
| Потужність розсіювання | 1,5 Вт (TA 25 °C) |
| Корпус | DIP8 |
Демонтаж
Мікросхема FSQ0565RQ ( Q0565R ) демонтаж, TO220F-6 ( FSQ0465RQ , Q0465R )
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Тип | ШІМ-контролер зі вбудованим ключем |
| Корпус | TO-220F-6L |
| Напруга Vds | 650 В (Vcc 0 В, Id 100 мкА) |
| Струм стоку Id | 2.8 А (Tc 25 °C, граничний) |
| Розсіювана потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Пік-струм обмеження | 3.0 А (Tj 25 °C, типово) |
| Частота перемикання | 66.7 кГц |
| Робоча температура | -25…+85 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема FSQ0765RQ ( Q0765R-маркування ) , TO220F-6
В наявності
134,42 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Тип | квазірезонансний ШІМ-контролер зі вбудованим ключем |
| Корпус | TO-220F-6L |
| Напруга Vds | 650 В (абсолютний максимум) |
| Струм стоку Id | 3.6 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 1.3 Ом типово, 1.6 Ом макс. (ID 1.8 А, TJ 25 °C) |
| Струм обмеження | 3.5 А |
| Розсіювана потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Частота перемикання | 66.7 кГц |
| Робоча температура | -25…+85 °C |
Мікросхема FSQ100 ( Q100 ) оригінал, DIP8
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Тип | ШІМ-контролер із вбудованим SenseFET |
| Напруга стік–витік BVDSS | 650 В |
| Частота перетворення | 67 кГц |
| Опір каналу RDS(ON) | 16 Ом |
| Макс. напруга Vcc | 20 В (TA = 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 1.40 Вт (TA = 25 °C, DIP) |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема FSQ510 , DIP7
В наявності
78,49 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Тип | ШІМ-контролер valley switching із вбудованим SenseFET |
| Напруга на виводі Drain | 700 В |
| Пробивна напруга BVDSS | 700 В (VCC = 0 В, ID = 100 мкА, мін.) |
| Опір каналу RDS(ON), макс. | 32 Ом |
| Ліміт струму | 320 мА |
| Макс. напруга Vcc | 20 В |
| Розсіювана потужність | 1.38 Вт (7-DIP) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| М'який старт | 5 мс |
| Корпус | DIP7 |
Мікросхема FT2925P ( ft2925P ) оригінал, ssop28
В наявності
220,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fangtek (SGMICRO) |
| Корпус | TSSOP28 |
| Напруга живлення | 3,0–5,5 В |
| Потужність на канал, 4 Ом | 6,0 Вт (VBAT 3,6 В, THD+N 10 %, без ALC) |
| Потужність на канал, 8 Ом | 3,5 Вт (VBAT 3,6 В, THD+N 10 %, без ALC) |
| ККД | 78 % (VBAT 3,6 В, 4 Ом, Po 2 Вт на канал) |
| Максимальне підсилення | 30 дБ |
| Частота ШІМ бустера | 800 кГц |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема G5177C , so-8
В наявності
31,96 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Global Mixed-mode Technology |
| Тип | Синхронний підвищувальний DC-DC перетворювач |
| Вхідна напруга VBAT | 2.5–4.5 В (25 °C) |
| Вихідна напруга | 5 В (4.925–5.075 В) |
| Вихідний струм | 3 А (VOUT 5 В, вхід 3.3 В) |
| Частота ШІМ | 0.5 МГц (0.35–0.65 МГц) |
| Струм спокою | 80 мкА (тип.) |
| Піковий струм обмеження | 6.5 А (мін., ILM01 = 1) |
| Робочий діапазон температур | -20…+85 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOP-8 (FD), 8 виводів |
Мікросхема G973-120 ( 973-120 ) , so-8
В наявності
84,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | GMT (Global Mixed-mode Technology) |
| Корпус | SO-8 |
| Тип | LDO-стабілізатор з виводом Enable |
| Вихідна напруга | 1.20 В (±2 %) |
| Вихідний струм | до 4 А |
| Падіння напруги | 330 мВ (4 А, VO 1.2 В) |
| Напруга VPP | 5 В |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Позначення | G973-120 (973-120) |
Мікросхема GD32F105RBT6 оригінал, LQFP64
В наявності
224,66 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | GigaDevice |
| Ядро | Arm Cortex-M3, 32 біт |
| Макс. тактова частота | 108 МГц (Flash без циклів очікування) |
| Flash-пам'ять | 128 КБ (варіант RB) |
| SRAM | 64 КБ (варіант RB) |
| Напруга живлення | 2,6–3,6 В (VDD, VDDA) |
| Діапазон робочих температур | -40…+85 °C (Industrial) |
| Корпус | LQFP64 |
| Кількість виводів | 64 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема GD32F303CBT6 оригінал, LQFP48
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | GigaDevice |
| Ядро | Arm Cortex-M4, 32 біт, з DSP-інструкціями та MPU (серія) |
| Макс. тактова частота | 120 МГц (серія, Flash без циклів очікування) |
| Напруга живлення | 2,6–3,6 В (серія) |
| АЦП | до 3 x 12 біт, 2,6 MSPS (серія) |
| Корпус | LQFP48 |
| Кількість виводів | 48 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема GD32F303CCT6 оригінал, LQFP48
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | 32-бітний мікроконтролер, Arm Cortex-M4 |
| Виробник | GigaDevice |
| Корпус | LQFP48 |
| Макс. частота | 120 МГц |
| Flash | 256 КБ |
| SRAM | 48 КБ |
| Лінії вводу-виводу | до 37 |
| Таймери | 4 загального призначення, 1 розширений, 2 базові (16 біт), SysTick |
| Інтерфейси | USART/UART – 3, I2C – 2, SPI – 3, I2S – 2, CAN 2.0B – 1, USB 2.0 FS – 1 |
| АЦП | 12 біт, 3 блоки (10 каналів) |
| ЦАП | 12 біт, 2 блоки |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема GD32F303RCT6 ( GD32F303 ) оригінал, LQFP64
В наявності
206,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | 32-бітний мікроконтролер |
| Виробник | GigaDevice |
| Ядро | Arm Cortex-M4, 32 біт (з DSP-інструкціями) |
| Максимальна тактова частота | 120 МГц (Flash без циклів очікування) |
| Напруга живлення | 2,6–3,6 В |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Flash-пам'ять | 256 КБ (варіант RC) |
| SRAM | 48 КБ (варіант RC) |
| Корпус | LQFP64 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема GD32F305RBT6 оригінал, LQFP64
В наявності
256,15 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | GigaDevice |
| Тип | 32-бітний мікроконтролер, Arm Cortex-M4 |
| Корпус | LQFP64 |
| Частота ядра | до 120 МГц |
| Flash | 128 КБ |
| SRAM | 64 КБ |
| Напруга живлення VDD | 2.6–3.6 В (тип. 3.3 В) |
| Лінії GPIO | 51 |
| Таймери | 4 загального призначення, 1 розширений, 2 базові (16 біт), SysTick |
| Інтерфейси | USART – 3, UART – 2, I2C – 2, SPI – 3, I2S – 2, CAN – 2, USBFS – 1 |
| АЦП | 12 біт, 2 блоки, 16 каналів, до 2.6 MSPS |
| ЦАП | 12 біт, 2 канали |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема GD32F305RCT6 оригінал, LQFP64
В наявності
256,15 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | GigaDevice |
| Ядро | Arm Cortex-M4, 32-біт |
| Макс. тактова частота | 120 МГц (Flash без циклів очікування) |
| Flash-пам'ять | 256 КБ |
| SRAM | 96 КБ |
| Порти вводу-виводу | 51 шт. |
| Напруга живлення VDD | 2,6–3,6 В (типово 3,3 В) |
| Корпус | LQFP64 |
| Кількість виводів | 64 шт. |
| Робоча температура | -40…+85 °C (grade 6) або -40…+105 °C (grade 7) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема GR8876A ( GR8876 ) , so-8
В наявності
82,25 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Grenergy |
| Тип | Green-Mode ШІМ-контролер струмового режиму |
| Напруга живлення VCC | 11.5–25 В |
| Напруга виводу HV | 500 В (абс. макс.) |
| Пусковий струм | 20 мкА (макс., VCC 15 В, 25 °C) |
| Частота перемикання | 60–70 кГц (RT 100 кОм) |
| Поріг Vcs | 0.80–0.90 В |
| Вихідний струм драйвера | 500 мА |
| Робочий діапазон температур | -20…+85 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема GR8935L , DIP8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Grenergy |
| Корпус | DIP8 |
| Кількість виводів | 8 |
| Напруга Vds (вбудований MOSFET) | 650 В |
| Напруга живлення VCC | 11–25 В |
| Частота перемикання | 50 кГц |
| Час м’якого старту | 5 мс |
| Робочий діапазон температур | -20…+85 °C |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
Мікросхема HA13152 ( HA13151 , HA13153A , 159-00 , 160-00 , 180-00 , 260-41 , 279-82 , 279-87 , 279-89 , 360-47 , 369-42 )
В наявності
295,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Кількість каналів | 4 (BTL) |
| Вихідна потужність | 14 Вт на канал (Vcc 13,2 В, 4 Ом, спотворення 10 %) |
| Напруга живлення Vcc | 18 В max (Ta 25 °C) |
| Вихідний струм (пік) | 3 А на канал |
| Коефіцієнт підсилення | 40 дБ typ (f 1 кГц, Rl 4 Ом, Vcc 13,2 В) |
| Струм спокою | 270 мА typ (Vcc 13,2 В, Vin = 0) |
| Tj max | 150 °C |
| Робоча температура | -30…+85 °C |
| Кількість виводів | 23 |
| Виробник | Hitachi |
Мікросхема HA13158A ( 490-48 )
В наявності
319,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Кількість каналів | 4 (BTL) |
| Вихідна потужність | 20 Вт на канал typ (Vcc 13,2 В, THD 10 %, 4 Ом) |
| Максимальна вихідна потужність | 34 Вт на канал typ (Vcc 13,7 В, 4 Ом) |
| Напруга живлення Vcc | 18 В max (Ta 25 °C) |
| Вихідний струм (пік) | 4 А на канал |
| Коефіцієнт підсилення | 32 дБ typ (f 1 кГц, Rl 4 Ом, Vcc 13,2 В) |
| Струм спокою | 220 мА typ (Vcc 13,2 В, Vin = 0) |
| Струм standby | 10 мкА max |
| Tj max | 150 °C |
| Робоча температура | -30…+85 °C |
| Корпус | SP-23TE, 23 виводи |
| Виробник | Hitachi |
Демонтаж
Мікросхема HA13166H демонтаж
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихід VDD | 5,7 В (Io 80 мА) |
| Вихід CD | 8,0 В (Io 1,0 А) |
| Вихід AUDIO | 9,0 В (Io 400 мА) |
| Вихід ILM | 10,0 В (Io 400 мА) |
| Вихід DSP | 3,3 В (Io 120 мА) |
| Вихід SW5V | 5,0 В (Io 80 мА) |
| Напруга живлення Vcc | 18 В max, рекомендовано 10–16 В |
| Розсіювана потужність | 36 Вт (Ta 25 °C, радіатор нескінченної площі) |
| Tj max | 150 °C |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | P-HSIP15-14.3×19.66-1.27, 15 виводів |
| Виробник | Renesas (раніше Hitachi) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема HCF4051 ( HCF4051M , MC14051BG ), smd
В наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Аналоговий мультиплексор/демультиплексор, 1 з 8 |
| Корпус | SMD, 16 виводів |
| Однополярне живлення | 3–20 В (нижче 3 В параметри погіршуються) |
| Двополярне живлення | ±3…±10 В |
| Макс. напруга живлення | 20 В (V+ відносно V-) |
| Ron (тип.) | 125 Ом при VDD = 15 В, 25 °C; 180 Ом при VDD = 10 В; 470 Ом при VDD = 5 В |
| Струм витоку каналу (тип.) | ±10 пА при VDD = 15 В |
| Аналоговий сигнал | 20 В (розмах) |
| Споживана потужність у спокої (тип.) | 0,2 мкВт |
| Захист ESD | HBM 3000 В / CDM 2000 В |
| Робочий діапазон температур | -55…125 °C |
Мікросхема HCF4052 ( HEF4052BT ) , so-16
В наявності
15,51 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Подвійний аналоговий мультиплексор/демультиплексор, 2 × (1 з 4) |
| Корпус | SO-16 |
| Однополярне живлення | 3–20 В (нижче 3 В параметри погіршуються) |
| Двополярне живлення | ±3…±10 В |
| Макс. напруга живлення | 20 В (V+ відносно V-) |
| Ron (тип.) | 125 Ом при VDD = 15 В, 25 °C; 180 Ом при VDD = 10 В; 470 Ом при VDD = 5 В |
| Струм витоку каналу (тип.) | ±10 пА при VDD = 15 В |
| Аналоговий сигнал | 20 В (розмах) |
| Споживана потужність у спокої (тип.) | 0,2 мкВт |
| Захист ESD | HBM 3000 В / CDM 2000 В |
| Робочий діапазон температур | -55…125 °C |
Мікросхема HCF4053BE ( CD4053BE , HEF4053BP ) , DIP
В наявності
11,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Аналоговий мультиплексор/демультиплексор, CMOS |
| Ключі | 3 ключі 2:1 зі спільним входом INH |
| Напруга живлення (одне джерело) | 3–20 В |
| Напруга живлення (двополярне) | ±3…±10 В |
| Опір відкритого каналу | 125 Ом (типове, VDD = 15 В, сімейство CD405xB) |
| Струм витоку каналу | ±10 пА (типове, VDD = 15 В) |
| Діапазон температур | -55…125 °C (free-air) |
| Корпус | DIP16 |
| Кількість виводів | 16 |
Мікросхема HR1000A , so-16
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Monolithic Power Systems |
| Корпус | SO-16 |
| Напруга живлення VCC | 8,9–15,5 В |
| Максимальна частота генератора | 600 кГц (CT = 470 пФ) |
| Мертвий час | 350 нс (TJ 25 °C) |
| Скважність виходу | 50 % (TJ 25 °C) |
| Напруга плаваючого живлення | 618 В (макс.) |
| Робоча температура переходу | −40…+125 °C |
Мікросхема HT1621B , ssop48
В наявності
50,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Драйвер LCD з пам’яттю 32×4 біти (128 сегментів) |
| Виробник | Holtek |
| Корпус | SSOP-48 |
| Інтерфейс | 3-провідний послідовний |
| Напруга живлення VDD | 2,4…5,2 В |
| Струм споживання (RC-генератор) | 200 мкА (типове; VDD = 5 В; без навантаження, LCD увімкнено) |
| Струм у режимі Power down | 5 мкА (максимум; VDD = 3 В) |
| Частота RC-генератора | 256 кГц (типова; VDD = 3 В) |
| Зміщення LCD | 1/2 або 1/3 |
| Частота звукового виходу | 2 / 4 кГц |
| Робоча температура | -40…85 °C |
Демонтаж
Мікросхема I7814HS демонтаж, 14pin smd
В наявності
131,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | 14 pin SMD |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема ICE1HS01G ( 1HS01G ) , so-8
В наявності
91,18 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість виводів | 8 |
| Напруга живлення VCC | 10.2–18 В |
| Максимальна частота перемикання | 600 кГц |
| Мінімальна частота перемикання | 50 кГц |
| Мертвий час | 380 нс |
| Скважність | 50 % |
| Температура переходу | -25…125 °C |