Стан
Корпус
- 2-16D1A (Toshiba) 1
- 2-5J1A (Toshiba) 1
- ISOWATT218 2
- ISOWATT218FX 5
- SOT-23 12
- SOT-32 (TO-126) 12
- SOT-89 8
- SOT199 2
- SOT399 7
- TO-126 MOD 2
- TO-220 26
- TO-220C 1
- TO-220F 26
- TO-225 (CASE 77-09) 1
- TO-247 5
- TO-252 (D-PAK) 3
- TO-264 4
- TO-3 4
- TO-3P 20
- TO-3P(H)IS 8
- TO-3P(L) 1
- TO-3PF 3
- TO-3PFa 2
- TO-3PFM 1
- TO-3PML 13
- TO-3PMLH 2
- TO-92 44
- TO-92L 7
- TO-92LM 2
- TO-92MOD 7
- TO-92S 1
- TOP-3E-A1 (SC-94) 1
- TOSHIBA 2-16E3A 3
- TP-FA (smd) 1
Категорії товарів
- TVS-діоди (супресори) (захисні діоди) 52
- Випромінювачі звуку, бузери, buzzer, зумери 3
- Вольтметри цифрові 17
- Вольтметри-амперметри цифрові 1
- Геркони 2
- Діністори 3
- Діоди 154
- Діоди Шоттки 52
- Діодні мости 40
- Електретні мікрофони 3
- Запобіжники 46
- Запчастини для мікрохвильових печей 20
- Інвертори універсальні 3
- Індуктивні елементи 33
- Кварци 29
- Керамічні резонатори 4
- Кнопки мережеві 16
- Конденсатори 487
- Макетні плати 6
- Мікроперемикачі 1
- Мікросхеми 1978
- Оптореле (твердотільні реле) 2
- Оптрони 56
- Панельки під мікросхеми 17
- Процесори для кінескопних ТВ 122
- Резистори 608
- Реле 77
- Різне 37
- Розрядники 2
- Світлодіоди 126
- Сімістори 66
- Стабілітрони 83
- Стабілітрони SMD SOD-80 0.5W 25
- Тактові кнопки 31
- Термозапобіжники 61
- Термостати 47
- Тиристори 22
- Транзистори 1782
- Біполярні транзистори 364
- Польові транзистори 1017
- IGBT-транзистори 401
- Трансформатори інверторів 17
- Трансформатори рядкові (ТДКС, FBT) 123
- Тюнери для кінескопних ТВ 84
- Фільтри 3
- Фотоприймачі 2
Ціна
Наявність
Біполярні транзистори
Біполярні NPN і PNP, складені за схемою Дарлінгтона та комплементарні пари, наприклад у корпусах TO-92, SOT-23, TO-220 і TO-3P.
Біполярний транзистор BU931P ( BU931ZP , BU931 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Дарлінгтон |
| Напруга Vces | 500 В (Vbe = 0) |
| Напруга Vceo | 400 В (Ib = 0) |
| Струм колектора Ic | 15 А (піковий Icm 30 А) |
| Потужність Ptot | 135 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,6 В макс. (Ic 7 А, Ib 70 мА) |
| hFE | 300 мін. (Ic 5 А, Vce 10 В) |
| Час спаду tf | 0,5 мкс тип. (індуктивне навантаження, Ic 7 А, Ib 70 мА, Vcc 12 В) |
| Вбудований діод | є, Vf 2,5 В макс. (If 10 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Біполярний транзистор MD1802FX ( 1802FX , ST1802FX )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vces | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 9 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 10 А постійний (Icm 15 А, tp < 5 мс) |
| Потужність Ptot | 57 Вт (Tc = 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,5 В макс. (Ic = 5 А, Ib = 1,25 А) |
| Час спаду tf | 0,2 мкс (Ic = 4 А, індуктивне навантаження) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Корпус | ISOWATT218FX |
Транзистор 2N3904 , to92
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–база Vcbo | 60 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 200 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE (мін.) | 100 (Vce 1 В, Ic 10 мА) |
| Гранична частота fT (мін.) | 250 МГц (Vce 20 В, Ic 10 мА, f 100 МГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2N4401 , to92
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–база Vcbo | 60 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 600 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT (мін.) | 250 МГц (Vce 10 В, Ic 20 мА, f 100 МГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2N4403 , to92
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–база Vcbo | -40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | -5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -600 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT (мін.) | 200 МГц (Vce -10 В, Ic -20 мА, f 100 МГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2N5551 , to92
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | KEC |
| Напруга Vceo | 160 В (Ta 25 °C, Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 180 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 600 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 80–250 (Vce 5 В, Ic 10 мА) |
| Vce(sat) | 0.2 В макс. (Ic 50 мА, Ib 5 мА) |
| fT | 100–300 МГц (Vce 10 В, Ic 10 мА, f 100 МГц) |
| Cob | 6 пФ макс. (Vcb 10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SA1013 (160V;1A;0,9W;15M)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | Unisonic Technologies |
| Напруга Vceo | -160 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -160 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -1 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 0.9 Вт (TO-92, Ta 25 °C) |
| hFE | 60–320 (Vce -5 В, Ic -200 мА; групи R, O, P) |
| Vce(sat) | -1.5 В макс. (Ic -500 мА, Ib -50 мА) |
| fT | 15–50 МГц (Vce -5 В, Ic -200 мА) |
| Cob | 35 пФ макс. (Vcb -10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SA1015 (50V;0,15A;0,4W;80M) , to92
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | BLUE ROCKET |
| Напруга Vceo | -50 В |
| Напруга Vcbo | -50 В |
| Напруга Vebo | -5 В |
| Струм колектора Ic | -150 мА (постійний) |
| Потужність Pc | 400 мВт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 70–400 (Vce -6 В, Ic -2 мА; групи O 70–140, Y 120–240, GR 200–400) |
| Vce(sat) | -0.1 В тип., -0.3 В макс. (Ic -100 мА, Ib -10 мА) |
| fT | 80 МГц тип. (Vce -10 В, Ic -1 мА) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SA1020G ( 2SA1020G-Y-AB3-R ) оригінал, sot89
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | UTC (Unisonic Technologies) |
| Напруга Vceo | –50 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vcbo | –50 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vebo | –5 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic | –2 А (TA 25 °C) |
| Потужність Pc | 500 мВт (SOT-89, TA 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| hFE1 | 70–240 (Vce –2 В, Ic –0,5 А) |
| hFE2 (мін.) | 40 (Vce –2 В, Ic –1,5 А) |
| Vce(sat) макс. | –0,5 В (Ic –1 А, Ib –0,05 А) |
| Ємність Cob | 80 пФ (Vcb –10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | SOT-89 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SA1268
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -120 В (Ic -1 мА, мін.) |
| Напруга Vcbo | -120 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -100 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 300 мВт (Ta 25 °C) |
| Tj макс. | 125 °C |
| hFE | 200–400 (група G), 350–700 (група L) при Vce -6 В, Ic -2 мА |
| fT | 100 МГц (тип.) при Vce -6 В, Ic -1 мА |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SA1271Y (A1271)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга Vcbo | -35 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | -30 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -800 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 100–320 (Vce -1 В, Ic -100 мА; клас Y 160–320) |
| Vce(sat) | -0,7 В макс. (Ic -500 мА, Ib -20 мА) |
| Гранична частота fT | 120 МГц тип. (Ic -10 мА, Vce -5 В) |
| Вихідна ємність Cob | 19 пФ тип. (Vcb -10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
Транзистор 2SA1273
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | KEC |
| Корпус | TO-92MOD |
| Напруга Vcbo | -30 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | -30 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -2 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 1 Вт (Ta 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 100–320 (Vce -2 В, Ic -500 мА; клас O 100–200, клас Y 160–320) |
| Vce(sat) | -2,0 В макс. (Ic -1,5 А, Ib -0,03 А) |
| Гранична частота fT | 120 МГц тип. (Vce -2 В, Ic -500 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 48 пФ тип. (Vcb -10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
Транзистор 2SA1492+2SC3856 ( A1492+C3856 ) оригінали
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Корпус | TO-3P |
| 2SA1492: тип | PNP |
| 2SC3856: тип | NPN |
| Напруга VCEO (обидва, Ta 25 °C) | 180 В |
| Струм колектора IC (обидва, Ta 25 °C) | 15 А |
| Потужність PC (обидва, Tc 25 °C) | 130 Вт |
| hFE (мін., IC 3 А, VCE 4 В) | 50 |
| VCE(sat) (макс., IC 5 А, IB 0,5 А) | 2,0 В |
| fT (тип., обидва) | 20 МГц |
| Tj (макс.) | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SA1625
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга V(BR)CBO | -400 В (Ic -100 мкА, Ie 0) |
| Напруга V(BR)CEO | -400 В (Ic -1 мА, Ib 0) |
| Напруга V(BR)EBO | -7 В (Ie -100 мкА, Ic 0) |
| Імпульсний струм Icm | -0,5 А (Tamb 25 °C) |
| Потужність Pcm | 750 мВт (Tamb 25 °C) |
| Температура Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| hFE | 40–200 (Vce -5 В, Ic -50 мА; M 40–80, L 60–120, K 100–200) |
| Vce(sat) | -1 В макс. (Ic -100 мА, Ib -10 мА) |
| Гранична частота fT | 10 МГц тип. (Vce -10 В, Ic -10 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 40 пФ тип. (Vcb -10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
Транзистор 2SA1668 оригінал
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -200 В (Ic -25 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcbo | -200 В |
| Напруга Vebo | -6 В |
| Струм колектора Ic | -2 А (постійний) |
| Потужність розсіювання | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE мін. | 60 при Ic -0,7 А, Vce -10 В |
| Vce(sat) макс. | -1.0 В при Ic -0,7 А, Ib -0,07 А |
| fT | 20 МГц при Ie 0,2 А, Vce -12 В |
| Cob | 60 пФ при Vcb -10 В, f 1 МГц |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SA1694
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -120 В (Ic -50 мА, Ib 0) |
| Струм колектора Ic | -8 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 50–180 при Ic -3 А, Vce -4 В |
| Vce(sat) | -1,5 В (макс.) при Ic -3 А, Ib -0,3 А |
| fT | 20 МГц (тип.) при Ie 0,5 А, Vce -12 В |
| Cob | 300 пФ (тип.) при Vcb -10 В, f 1 МГц |
Транзистор 2SA1695+2SC4468 оригінали
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP (2SA1695) + NPN (2SC4468) |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Напруга Vceo | 140 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 140 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 10 А (Tc 25 °C) |
| Потужність Pc | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 55–160 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Частота fT | 20 МГц тип. (Vce 12 В, Ie 0,5 А) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SA1837 , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -230 В (Ic -10 мА, Ib 0, мін.) |
| Напруга Vcbo | -230 В |
| Струм колектора Ic | -1 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 20 Вт (Tc 25 °C), 2 Вт (Ta 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE | 100–320 при Ic -100 мА, Vce -5 В |
| Vce(sat) макс. | -1.5 В при Ic -500 мА, Ib -50 мА |
| fT | 70 МГц при Ic -100 мА, Vce -10 В |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор 2SA1941 + 2SC5198 ( A1941 + C5198 ) оригінали
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vceo | 120 В (Ic 10 мА, Tc 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 140 В (Ic 1 мА, Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ic 1 мА, Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 8 А (Tc 25 °C) |
| Потужність Pc | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 55–160 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Vce(sat) | до 1.5 В (Ic 4 А, Ib 0,4 А) |
| Частота fT | 15 МГц (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SA1943+2SC5200 оригінали , ТО264
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | 2SA1943 – PNP, 2SC5200 – NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 230 В (2SA1943: -230 В) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 230 В (2SA1943: -230 В) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (2SA1943: -5 В) |
| Струм колектора Ic | 15 А (2SA1943: -15 А) |
| Струм бази Ib | 1.5 А (2SA1943: -1.5 А) |
| Розсіювана потужність Pc | 150 Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE(1) | 55–160 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Гранична частота fT | 30 МГц (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Корпус | TO-3P(L) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SA1962 + 2SC5242 ( A1962 + C5242 ) оригінали
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип 2SA1962 | PNP |
| Напруга Vceo (2SA1962) | -230 В (Ic -50 мА, Tc 25 °C) |
| Напруга Vcbo (2SA1962) | -230 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic (2SA1962) | -15 А (Tc 25 °C) |
| Потужність Pd (2SA1962) | 130 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE1 (2SA1962) | 55–160 (Vce -5 В, Ic -1 А) |
| fT (2SA1962) | 30 МГц (тип., Vce -5 В, Ic -1 А) |
| Корпус | 2-16C1A (код Toshiba) |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SA614-Y (KSA614-Y) демонтаж
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -55 В (IC -10 мА, IB 0; Tc 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -80 В (IC -500 мкА, IE 0; Tc 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | -5 В (IE -500 мкА, IC 0) |
| Струм колектора Ic | -3 А (Tc 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE, група Y | 120–240 (VCE -5 В, IC -0,5 А) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Транзистор 2SA733 , to92
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -50 В |
| Напруга Vcbo | -60 В |
| Струм колектора Ic | -150 мА (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 250 мВт (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 90–600 (Ic -1 мА, Vce -6 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0.3 В макс. (Ic -100 мА, Ib -10 мА) |
| Гранична частота fT | 180 МГц тип. (Ic -10 мА, Vce -6 В) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SA928 ( 2SA928A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -30 В |
| Напруга Vcbo | -30 В |
| Струм колектора Ic | -2 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 100–320 (Ic -0.5 А, Vce -2 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0.5 В макс. (Ic -1.5 А, Ib -30 мА) |
| Гранична частота fT | 120 МГц мін. (Vce -5 В, Ic -500 мА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-92L |
Транзистор 2SA940
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -150 В |
| Напруга Vcbo | -150 В |
| Струм колектора Ic | -1.5 А (постійний) |
| Потужність розсіювання Pd | 25 Вт (Tc 25 °C; 2 Вт при Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 70–200 (Ic -500 мА, Vce -10 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -1.5 В макс. (Ic -500 мА, Ib -50 мА) |
| Гранична частота fT | 4.0 МГц (Ic -500 мА, Vce -10 В) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор 2SA966
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -30 В (Ic -10 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcbo | -30 В |
| Струм колектора Ic | -1.5 А (постійний) |
| Потужність розсіювання Pd | 900 мВт |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 100–320 (Ic -500 мА, Vce -2 В; групи O 100–200, Y 160–320) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -2 В (макс., Ic -1.5 А, Ib -30 мА) |
| Гранична частота fT | 120 МГц (Vce -2 В, Ic -500 мА) |
| Корпус | TO-92MOD |
| Виробник | JSCJ (Jiangsu Changjing Electronics) |
Транзистор 2SA970
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, кремнієвий |
| Напруга Vceo | -120 В (Ta 25 °C; Ic=-1 мА, Ib=0) |
| Напруга Vcbo | -120 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 100 мА (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 300 мВт (Ta 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 200–700 (Vce=-6 В, Ic=-2 мА; GR 200–400, BL 350–700) |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | BLUE ROCKET |
Транзистор 2SB1204 , D-PAK
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -50 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -60 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -5,0 А (постійний; імпульсний Icp -8,0 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 20 Вт (Tc 25 °C; 1,0 Вт без радіатора) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 70–400 (Vce=-2 В, Ic=-0,5 А; Q 70–140, R 100–200, S 140–280, T 200–400) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0,55 В (макс., Ic=-3 А, Ib=-0,15 А; типове -0,28 В) |
| Гранична частота fT | 130 МГц (типове) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | YTL |
Транзистор 2SB1626
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, Дарлінгтон |
| Виробник | Sanken |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vceo | 110 В |
| Напруга Vcbo | 110 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 6 А |
| Струм бази Ib | 1 А |
| Потужність Pc | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | від 5000 (Vce 4 В, Ic 5 А) |
| Vce(sat) | не більше 2,5 В (Ic 5 А, Ib 5 мА) |
| Гранична частота fT | 100 МГц (тип., Vce 12 В, Ie 0,5 А) |
| Ємність Cob | 110 пФ (тип., Vcb 10 В, f 1 МГц) |
Транзистор 2SB647 ( 2SB647A ) (80V,1A,0.9W)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | Hitachi (нині Renesas) |
| Корпус | TO-92MOD |
| Напруга Vceo | 80 В (2SB647), 100 В (2SB647A) |
| Напруга Vcbo | 120 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 1 А (піковий 2 А) |
| Потужність Pc | 0,9 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE1 | 60–320 (Vce 5 В, Ic 150 мА) |
| hFE2 | від 30 (Vce 5 В, Ic 500 мА) |
| Vce(sat) | не більше 1 В (Ic 500 мА, Ib 50 мА) |
| Гранична частота fT | 140 МГц (тип., Vce 5 В, Ic 150 мА) |
| Ємність Cob | 20 пФ (тип., Vcb 10 В, f 1 МГц) |
Транзистор 2SB649A ( B649A , 2SB649AC , 2SB649AL-C )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | Hitachi (нині Renesas) |
| Корпус | TO-126 MOD |
| Напруга Vceo | 160 В (2SB649A), 120 В (2SB649) |
| Напруга Vcbo | 180 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 1,5 А (піковий 3 А) |
| Потужність Pc | 1 Вт (Ta 25 °C), 20 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE1 | 60–200 (Vce 5 В, Ic 150 мА) |
| hFE2 | від 30 (Vce 5 В, Ic 500 мА) |
| Vce(sat) | не більше 1 В (Ic 500 мА, Ib 50 мА) |
| Гранична частота fT | 140 МГц (тип., Vce 5 В, Ic 150 мА) |
| Ємність Cob | 27 пФ (тип., Vcb 10 В, f 1 МГц) |
NPN, PNP, Дарлінгтон і комплементарні пари: як читати картки біполярних транзисторів
Серед моделей, які найчастіше шукають, у розділі є 2N3904 і 2N5551 у корпусі TO-92, BD139 у корпусі TO-126, 2SD209L (D209L) у корпусі TO-3P і 2SD882 (D882) у корпусі SOT-89. Огляд усіх видів – у розділі Транзистори.
Vceo і Ic: граничні параметри в картках
- Напруга колектор-емітер Vceo. Підручник описує цей параметр як максимально припустиму постійну напругу колектор-емітер. Найчастіше в картках вказано 800, 600, 50 або 100 В.
- Струм колектора Ic – максимально припустимий постійний струм колектора. Найчастіше трапляються 5, 10 і 8 А, є й моделі на 0,1 А.
Що означає позначка «Дарлінгтон»
Так у картках позначено частину NPN і PNP. Це складений транзистор: його утворюють два або більше транзисторів, і вихідний струм попереднього стає струмом бази наступного. Головна особливість схеми Дарлінгтона – дуже великий коефіцієнт підсилення за струмом. Недолік – менша швидкодія. Тому складені транзистори використовують переважно в низькочастотних ключових і лінійних схемах.
Пари NPN + PNP для двотактних каскадів
У назвах частини товарів записано дві моделі через «+», наприклад 2SA1941 + 2SC5198, 2SA1943 + 2SC5200 і 2SD1047 + 2SB817. У картках частини таких товарів вказано «комплементарна пара». Її утворюють транзистори з однаковими параметрами, але різними типами провідності – n-p-n і p-n-p. За підручником, найбільшого поширення набули двотактні схеми, в яких використовуються комплементарні пари. Там само сказано, що комплементарні пари потужних транзисторів широко використовують у побутовій апаратурі.
Високовольтні NPN і деталі з демонтажу
У картках частини NPN вказано «високовольтний швидкодіючий», «рядкова розгортка ТВ» або «з демпферним діодом». Найчастіше з розділу замовляють MD1803DFX з демонтажу; у його назві перелічено також ST1803DFX, ST1803DHI, SY1803 і MD2009DFX. Деталі з демонтажу позначено в назві товару словом «демонтаж» або «б/в». Демонтаж – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.
Серед корпусів найчастіше трапляються TO-92, TO-220, TO-220F і TO-3P. Є, наприклад, SOT-23, SOT-89, TO-126, TO-247 і TO-264. Серед виробників – SANYO, Sanken, NXP Semiconductors, STMicroelectronics і onsemi. Відправляємо Новою Поштою по Україні з Запоріжжя, у день оплати або наступного дня.
Часті запитання
Які є схеми включення біполярного транзистора?
Найчастіше один із виводів транзистора роблять спільним для вхідного і вихідного кіл. Тому розрізняють три схеми включення: зі спільним емітером (СЕ), зі спільною базою (СБ) і зі спільним колектором (СК).
У яких режимах біполярний транзистор працює як ключ?
У ключі транзистор перебуває в одному з двох статичних режимів: відсічки, коли він закритий, або насичення, коли він відкритий і насичений. Активний режим – це перехід з одного такого стану в інший.
Чим TIP41C відрізняється від TIP42C?
За назвами товарів TIP41C має структуру n-p-n, а TIP42C – p-n-p. В обох у назві вказано 100 В, 6 А і 65 Вт, корпус TO-220.
Які характеристики 2SA1015?
У назві товару вказано 50 В, 0,15 А і 0,4 Вт, корпус TO-92.