Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор G30N60A4 ( HGTG30N60A4 ) оригінал демонтаж, TO247
164,50 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HGTG30N60A4 – IGBT-транзистор onsemi серії SMPS у корпусі TO-247, без вбудованого діода. Оригінал, демонтаж: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер BVCES | 600 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм колектора | 75 А при TC = 25 °C; 60 А при TC = 110 °C |
| Імпульсний струм ICM | 240 А (TC = 25 °C) |
| VCE(sat) типово | 1.8 В (IC = 30 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Заряд затвора QG(on) типово | 225 нКл |
| Розсіювана потужність | 463 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер VGES | ±20 В |
| Вбудований діод | немає |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
HGTG30N60A4 (на платах його часто маркують G30N60A4) – IGBT-транзистор onsemi серії SMPS у корпусі TO-247-3LD, без вбудованого діода. Напруга колектор–емітер BVCES – 600 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В). Неперервний струм колектора – 75 А при TC = 25 °C і 60 А при TC = 110 °C; імпульсний ICM – 240 А (TC = 25 °C, обмеження за Tj). Напруга насичення VCE(sat), типово 1.8 В при IC = 30 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C (макс. 2.6 В). Заряд затвора QG(on), типово 225 нКл при IC = 30 А, VCE = 300 В, VGE = 15 В. Розсіювана потужність – 463 Вт при TC = 25 °C. Напруга затвор–емітер VGES – ±20 В (неперервна).
Оригінал, демонтаж: деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Якщо підбираєте заміну, порівнюйте не лише напругу й струм, а й VCE(sat), заряд затвора QG(on) та наявність діода: у цій моделі його немає, діод є у версії HGTG30N60A4D. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- UPS
- зварювальні апарати
- імпульсні джерела живлення (SMPS)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| HGTG30N60A4D | названо виробником | той самий кристал у версії з вбудованим антипаралельним швидким діодом; перевірте, чи діод не заважає схемі | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж: деталь знята з плати й перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи є в HGTG30N60A4 вбудований діод?
Ні, у даташиті цієї моделі діод не наведено. Діод є у версії HGTG30N60A4D.
Чим замінити HGTG30N60A4?
Виробник називає версію з діодом HGTG30N60A4D. Для інших замін порівнюйте BVCES, струм колектора при TC = 110 °C, VCE(sat), QG(on) та корпус TO-247 за datasheet.
Яка напруга керування потрібна на затворі?
VGE(th) типово 5.2 В (мін. 4.5, макс. 7.0) при IC = 250 мкА; VCE(sat) наведено при VGE = 15 В. Неперервна напруга затвор–емітер – ±20 В.
Документація виробника: HGTG30N60A4/D, Rev. 4.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.