Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOP-7 |
Мікросхема PN8055H , sop7
69,56 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
PN8055H – мікросхема Chipown, PFM-контролер із вбудованим MOSFET 800 В для малопотужних неізольованих джерел живлення. Корпус SOP7.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOP-7 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chipown |
| Корпус | SOP-7 |
| Напруга пробою MOSFET BVDSS | 800 В (мінімум; ISW 250 мкА, TJ 25 °C) |
| Обмеження струму стоку | 500 мА (типове; TA 25 °C, VDD 14 В) |
| Вихідна потужність | 3 Вт (15 В / 200 мА, 150–265 В AC); 2,25 Вт (15 В / 150 мА, 85–265 В AC) |
| Поріг запуску VDD | 12 В |
| Поріг відключення VDD | 9 В |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
PN8055H – PFM-контролер із вбудованим лавинностійким MOSFET виробництва Chipown для малопотужних неізольованих імпульсних джерел живлення. Корпус SOP7. Параметри наведено за даташитом найближчої деталі PN8055 (Chipown): напруга пробою MOSFET BVDSS – мінімум 800 В (ISW 250 мкА, TJ 25 °C). Обмеження струму стоку – типово 500 мА. Вихідна потужність – 3 Вт (15 В / 200 мА, 150–265 В AC) і 2,25 Вт (15 В / 150 мА, 85–265 В AC) для закритого виконання при 75 °C. Поріг запуску VDD – 12 В, відключення – 9 В, абсолютний максимум VDD – 35 В. Тепловий захист спрацьовує типово при 150 °C. Робоча температура переходу – від -40 до 150 °C.
Щоб підібрати заміну, звіряйте корпус і літерний індекс: за даними виробника існують варіанти PN8055SSC-R1, PN8055NSC-T1, PN8055SM-A1. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо Новою поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Неізольовані допоміжні джерела живлення малої потужності
- Живлення 15 В неізольованих схем
Чим замінити PN8055H?
За даними виробника існують варіанти PN8055SSC-R1, PN8055NSC-T1, PN8055SM-A1. Перевірених аналогів у нашому каталозі немає; порівнюйте datasheet самостійно.
Для яких схем підходить PN8055H?
Для неізольованих допоміжних джерел живлення малої потужності та живлення 15 В неізольованих схем.
Чи збігаються параметри з PN8055H точно?
Цифри взято з даташиту найближчої деталі PN8055, тому точного збігу не обіцяємо; звіряйте з документом на свою деталь.
Яка напруга MOSFET усередині?
Вбудований лавинностійкий MOSFET з напругою пробою мінімум 800 В.
Найближчий datasheet: PN8055 (Chipown).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Мікросхема 24C08 ( AT24C08 , ST24C08W6 ) , DIP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 8K (8192 біт) |
| Організація | 1024 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема NSI6602AD оригінал ( NSI6602A-DSWR , NSI66 02AD , NS16602AD , NS166 02AD ), sow16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Ізоляція | 5700 В (RMS), 1 хв, UL1577 |
| Піковий струм (джерело) | 4 А на кожен вихід |
| Піковий струм (стік) | 6 А на кожен вихід |
| Живлення VDDI | 3–5,5 В |
| Живлення VDDA/VDDB | 7–25 В |
| Затримка поширення | 25 нс (тип.) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (тип.) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.