Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор PTP02N04NB оригінал демонтаж, TO220
188,00 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
PTP02N04NB – N-канальний польовий транзистор PIP у корпусі TO-220 для DC/DC-перетворювачів і синхронного випрямлення. Оригінал, демонтаж: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 245 А (Tc 25 °C), 165 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 1.65 мОм тип., 2.1 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 24 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 125 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність розсіювання Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Виробник | PIP |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
PTP02N04NB – N-канальний MOSFET виробництва PIP (Perfect Intelligent Power Semiconductor) у корпусі TO-220. Напруга Vds – 40 В, струм стоку Id – 245 А при Tc 25 °C і 165 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 1.65 мОм (тип.), 2.1 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 24 А, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg – 125 нКл при Vdd 20 В, Id 80 А, Vgs 0…10 В. Вхідна ємність Ciss типово 5100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В при Id 250 мкА. Потужність розсіювання – 300 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Вбудований діод швидкий відновлюваний: Vsd до 1.2 В при Is 24 А, trr 55 нс (тип.) при If 24 А.
Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівнюйте канал (N), корпус TO-220 і розпіновку, а також Vds, Id, Rds(on) і заряд затвора Qg: від нього залежить навантаження на драйвер. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Високоефективні перетворювачі DC/DC
- Синхронне випрямлення
- Інвертори ДБЖ
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити PTP02N04NB?
Беріть N-канальний MOSFET у TO-220 з тією самою розпіновкою, Vds не нижче 40 В і Rds(on) не вищим за 2.1 мОм при Vgs 10 В. Параметри порівнюйте за datasheet.
Для чого підходить цей транзистор?
За документацією виробника – для високоефективних перетворювачів DC/DC, синхронного випрямлення та інверторів ДБЖ.
Що важливо знати про вбудований діод?
Діод швидкий відновлюваний: trr 55 нс (тип.) при If 24 А і dI/dt 100 А/мкс, Vsd до 1.2 В при Is 24 А.
Документація виробника: PTP02N04NB (PIP).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.