Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JCS11N90WT оригінал, TO247
122,20 ₴
30 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
30 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
JCS11N90WT – N-канальний польовий транзистор на 900 В і 11 А в корпусі TO-247 для імпульсних блоків живлення. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 900 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 11 А (Tc 25 °C), 6.9 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.90 Ом тип., 1.10 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 5.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 66 нКл (Vds 720 В, Id 11 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 277 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
| Стан | Оригінал |
JCS11N90WT – N-канальний MOSFET виробництва JILIN SINO-MICROELECTRONICS у корпусі TO-247. Напруга Vds – 900 В, струм стоку Id – 11 А при Tc 25 °C і 6.9 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.90 Ом (тип.) і 1.10 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 5.5 А. Заряд затвора Qg – 66 нКл при Vds 720 В, Id 11 А, Vgs 10 В, порогова напруга Vgs(th) – 3.0–5.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Вхідна ємність Ciss типово 2550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 277 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Пряма напруга діода Vsd – до 1.4 В при Vgs 0 В, Is 11 А.
Стан: оригінал. Підбираючи заміну, зіставте канал (потрібен N), напругу Vds не нижче 900 В, струм Id, опір Rds(on) при Vgs 10 В і корпус TO-247. Якщо заряд затвора заміни помітно більший, перевірте, чи впорається драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення з високою ефективністю
- ДБЖ (UPS)
- Електронні баласти ламп на напівмостовій схемі
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| STW12NK95Z | канал N = N, Vds 950 ≥ 900, Id(25 °C) 10 ≥ 0.8×11=8.8, Rds(on) Vgs 10 В max 0.69 ≤ 1.3×1.1=1.43, корпус TO-247 = TO-247 | Qg 113 нКл проти 66 нКл у JCS11N90WT – перевірте драйвер затвора. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити JCS11N90WT?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з напругою Vds не нижче 900 В і таким самим або вищим струмом Id та не вищим Rds(on) при Vgs 10 В. У нашому каталозі є STW12NK95Z, він підходить за цими параметрами; заряд затвора в нього більший, тож перевірте драйвер.
Як перевірити транзистор перед установкою?
Мультиметром у режимі діода перевірте, що між стоком і витоком проводить лише діод в одному напрямку, а затвор не має зв’язку зі стоком і витоком.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Яка порогова напруга затвора в JCS11N90WT?
Vgs(th) – 3.0–5.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Опір Rds(on) у параметрах вказано при Vgs 10 В.
Документація виробника: JCS11N90WT (JILIN SINO-MICROELECTRONICS).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.