Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор IGW40T60F оригінал демонтаж б/в, TO-3P

258,50 ₴

12 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

12 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

IGW40T60F – IGBT-транзистор у корпусі TO-3P. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипIGBT-транзистор
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

IGW40T60F – IGBT-транзистор у корпусі TO-3P. IGBT поєднує керування затвором, як у польового транзистора, з високою напругою і струмом біполярного, тому його ставлять у силові ключі: інвертори, перетворювачі, зварювальні апарати, блоки живлення. Технічні параметри цієї позиції ми не наводимо, бо datasheet на неї не знайдено і жодне значення не підтверджене документом.

Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Якщо замінюєте несправний транзистор, спершу подивіться повне маркування на старій деталі та порівняйте його з назвою IGW40T60F, а також перевірте корпус TO-3P і розпіновку. Аналоги й заміну підбирайте за datasheet виробника, порівнюючи напругу, струм колектора, Vce(sat) і наявність діода. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.

Як перевірити IGBT перед встановленням?

Мультиметром у режимі перевірки діодів прозвоніть виводи: між затвором і рештою виводів не має бути провідності. Перед монтажем звірте розпіновку з datasheet.

Чим замінити IGW40T60F?

Аналоги в нашому каталозі для цієї позиції не позначені, бо параметри не підтверджені документом. Підбирайте заміну за datasheet: корпус, напруга, струм, Vce(sat), наявність діода.

Які параметри IGW40T60F?

Datasheet для цієї позиції ми не знайшли, тому не називаємо цифр, які не можемо підтвердити. Точні значення дивіться в документації виробника за маркуванням на деталі.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P

В наявності

208,68 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1.9 В тип. / 2.5 В макс.
Заряд затвора Qg189 нКл тип. / 284 нКл макс.
Вбудований діодтак
Розсіювана потужність Pd600 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-3P

IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипЗворотно-провідний IGBT (soft switching)
Напруга Vce1200 В
Струм Ic (25 °C)50 А
Струм Ic (100 °C)25 А
Потужність Ptot (25 °C)365 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.6 В
Заряд затвора Qg60.7 нКл
Вхідна ємність Cies2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 25 А, 25 °C)1.5 В
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)100 А
Струм колектора Ic (100 °C)75 А
Напруга насичення Vce(sat)1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Розсіювана потужність Pd484 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
Вбудований діодтак (co-pack)
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.