Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор FXN28N50F оригінал демонтаж, TO220F
141,00 ₴
2 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
2 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FXN28N50F – N-канальний польовий транзистор у ізольованому корпусі TO-220F. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | FuXin Semiconductor (FX-Semi) |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 28 А (обмежено кристалом, за корпусом – 23 А) |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 16,7 А |
| Опір Rds(on) | 0,20 Ом макс. (тип. 0,17 Ом), VGS = 10 В, ID = 14 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В), VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 80 нК (тип.), VDS = 400 В, ID = 28 А, VGS = 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 4200 пФ (Vds 300 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 108 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
FXN28N50F – N-канальний MOSFET виробництва FuXin Semiconductor (FX-Semi) у корпусі TO-220F. Напруга Vds 500 В, струм стоку Id 28 А при TC = 25 °C (обмежено кристалом, за корпусом – 23 А) і 16,7 А при TC = 100 °C. Опір Rds(on) не більше 0,20 Ом (типово 0,17 Ом) при VGS = 10 В, ID = 14 А. Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В (типово 3 В), заряд затвора Qg 80 нК (типово) при VDS = 400 В, ID = 28 А, VGS = 10 В, потужність розсіювання 108 Вт при TC = 25 °C, напруга затвор–витік ±30 В. Вхідна ємність Ciss типово 4200 пФ (Vds 300 В, f 1 МГц).
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, беріть N-канальний транзистор у тому самому корпусі TO-220F з Vds не нижче 500 В, не меншим струмом Id і не гіршим Rds(on). Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення (SMPS)
- DC/DC перетворювачі
- Малопотужні приводи
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити FXN28N50F?
Підійде N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 500 В і не гіршими Id та Rds(on) при VGS 10 В. Аналогів у нашому каталозі зараз немає.
Який струм можна брати від цього транзистора?
Id 28 А при TC = 25 °C обмежено кристалом, за корпусом – 23 А. При TC = 100 °C – 16,7 А.
Чи підходить FXN28N50F для імпульсного блока живлення?
Так, документ вказує застосування в SMPS, DC/DC перетворювачах і малопотужних приводах. Врахуйте Qg 80 нК (типово) при виборі драйвера.
Документація виробника: FXN28N50F (FuXin Semiconductor).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.