Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор BT60N60 ( BT60N60ANF ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P

235,00 ₴

3 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

3 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

BT60N60 (BT60N60ANF) – IGBT-транзистор Huajing Microelectronics на 600 В з антипаралельним діодом, корпус TO-3P. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vce600 В
Vce(sat)2.2 В typ (макс. 2.9; Ic 60 А, Vge 15 В)
Vge(th)5.0 В typ (Ic 1 мА, Vce = Vge)
Qg150 нКл typ (Vce 400 В, Ic 60 А, Vge 15 В)
Вхідна ємність Cies2890 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Eoff1.13 мДж typ (Vce 400 В, Ic 60 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В)
tf45 нс typ (Vce 400 В, Ic 60 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В)
Діодантипаралельний; Vf 1.8 В typ (If 30 А); trr 90 нс typ (If 20 А)
Tj max150 °C
КорпусTO-3P
ВиробникHuajing Microelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

BT60N60 (BT60N60ANF) – IGBT-транзистор Huajing Microelectronics у корпусі TO-3P (у документі TO-3PN) з вбудованим антипаралельним діодом. Напруга колектор–емітер Vce – 600 В. Напруга насичення Vce(sat) – 2.2 В (typ, макс. 2.9) при Ic 60 А, Vge 15 В. Порогова напруга Vge(th) – 5.0 В typ (мін. 3.5, макс. 6.5) при Ic 1 мА. Заряд затвора Qg – 150 нКл typ при Vce 400 В, Ic 60 А. Вхідна ємність Cies типово 2890 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Eoff – 1.13 мДж, час спаду tf – 45 нс (typ; Vce 400 В, Ic 60 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В). Діод: Vf 1.8 В typ при If 30 А, trr 90 нс typ при If 20 А, di/dt 200 А/мкс. Максимальна температура переходу – 150 °C. Цифри взято з документації BT60N60ANF (Huajing Microelectronics).

Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте Vce, струм колектора, Vce(sat) і корпус; значення порівнюйте при однакових умовах, а взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.

Часто питають
Чим замінити BT60N60?

У нашому каталозі готових аналогів для цієї деталі немає. Заміну підбирайте за напругою Vce, струмом колектора, Vce(sat) і корпусом, порівнюючи datasheet при однакових умовах.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Чи є в транзисторі вбудований діод?

Так, антипаралельний діод: Vf 1.8 В typ при If 30 А, trr 90 нс typ при If 20 А.

Яке керування затвором потрібне?

Порогова напруга Vge(th) – 5.0 В typ (мін. 3.5, макс. 6.5) при Ic 1 мА; Vce(sat) наведено при Vge 15 В. Заряд затвора Qg – 150 нКл typ при Vce 400 В, Ic 60 А.

Datasheet

Документація виробника: BT60N60ANF (Huajing Microelectronics).

Струм колектора Ic та потужність Pd не наведено: підписи в таблиці документа частково втрачені, значення не підтверджені.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

BT60N60ANF (Huajing Microelectronics) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247

В наявності

320,54 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (25 °C)240 А
Струм колектора Ic (100 °C)160 А
Напруга насичення Vce(sat)1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)
Час відновлення діода trr360 нс (Tj 175 °C)
Розсіювана потужність Pd750 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусSuper-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P

В наявності

208,68 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1.9 В тип. / 2.5 В макс.
Заряд затвора Qg189 нКл тип. / 284 нКл макс.
Вбудований діодтак
Розсіювана потужність Pd600 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-3P

IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипЗворотно-провідний IGBT (soft switching)
Напруга Vce1200 В
Струм Ic (25 °C)50 А
Струм Ic (100 °C)25 А
Потужність Ptot (25 °C)365 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.6 В
Заряд затвора Qg60.7 нКл
Вхідна ємність Cies2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 25 А, 25 °C)1.5 В
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В (Tvj ≥25 °C)
Струм колектора Ic (25 °C)80 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)275 Вт
Напруга насичення Vce(sat)1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C)
КорпусTO-247
Вбудований діодVrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс
Максимальна температура переходу Tj175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.