Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS180N06 оригінал, TO220
117,50 ₴
24 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
24 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CS180N06 – N-канальний польовий транзистор CR Micro на 60 В і 180 А у корпусі TO-220. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 180 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 116 А |
| Опір Rds(on) макс. | 4 мОм (VGS = 10 В, ID = 90 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 245 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4882 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
CS180N06 – N-канальний MOSFET виробництва CR Micro у корпусі TO-220 (в документі – TO-220AB). Напруга Vds – 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку Id – 180 А при TC 25 °C (обмежено кристалом) і 116 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 4 мОм при VGS = 10 В, ID = 90 А (типове значення 3.2 мОм). Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА, напруга затвор–витік – до ±20 В. Заряд затвора Qg – 86.2 нКл (типове значення при VDD = 48 В, ID = 90 А, VGS = 10 В). Вхідна ємність Ciss типово 4882 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 245 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Вбудований діод є: Vsd не більше 1.2 В при Is = 90 А, trr 36 нс.
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте тип каналу (N), корпус TO-220, напругу Vds не нижче 60 В, Id при 25 °C і Rds(on) за однакових умов вимірювання. У нашому каталозі в корпусі TO-220 є RU6199R, IRFB3206 і G042N10: їхні параметри наведено в таблиці аналогів. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Силові ключі адаптерів і зарядних пристроїв
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| RU6199R | канал N = N, Vds 60 ≥ 60, Id(25 °C) 200 ≥ 0.8×180 = 144, Rds(on) макс. 3.7 ≤ 1.3×4 = 5.2 мОм при Vgs 10 В, корпус TO-220 = TO-220 | Qg 155 нКл проти 86.2 нКл: врахуйте навантаження на драйвер затвора. | Купити |
| IRFB3206 | канал N = N, Vds 60 ≥ 60, Id(25 °C) 210 ≥ 0.8×180 = 144, Rds(on) макс. 3.0 ≤ 1.3×4 = 5.2 мОм при Vgs 10 В, корпус TO-220 = TO-220 | У каталозі позиція демонтаж. Qg 120 нКл проти 86.2 нКл: врахуйте драйвер затвора. | Купити |
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 60, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×180 = 144, Rds(on) макс. 4.2 ≤ 1.3×4 = 5.2 мОм при Vgs 10 В, корпус TO-220 = TO-220 | Qg 119 нКл проти 86.2 нКл: врахуйте драйвер затвора. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити CS180N06?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 60 В; Id при 25 °C і Rds(on) порівнюйте за однакових умов вимірювання. У каталозі це RU6199R, IRFB3206 і G042N10. Перед заміною порівняйте datasheet.
Як перевірити CS180N06 мультиметром?
Виміряйте перехід затвор–витік і стік–витік у режимі діода. Вбудований діод між витоком і стоком є, тому в одному напрямку прилад покаже спад напруги. Справний транзистор не пропускає струм між стоком і витоком, поки на затворі немає напруги.
Чи справді 180 А можна отримати в корпусі TO-220?
Значення 180 А наведено при TC 25 °C і обмежено кристалом (silicon limited). При TC 100 °C струм Id – 116 А.
Документація виробника: CS180N06A8 (CR Micro).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.