Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MD20N65 оригінал, TO3P
103,40 ₴
30 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
30 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
MD20N65 – N-канальний польовий транзистор Minos на 650 В і 20 А у корпусі TO-3P. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Minos |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 12.6 А |
| Опір Rds(on) макс. | 0.46 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 300 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3120 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
MD20N65 – N-канальний MOSFET виробництва Minos у корпусі TO-3P. Напруга Vds – 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку Id – 20 А при TC 25 °C і 12.6 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 0.46 Ом при VGS = 10 В, ID = 10 А (типове значення 0.39 Ом). Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА, напруга затвор–витік – до ±30 В. Вхідна ємність Ciss типово 3120 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 300 Вт при TC 25 °C (корпус TO-247 / TO-3P), максимальна температура переходу – 150 °C. Вбудований діод є: Vsd не більше 1.2 В при Is = 20 А, trr 556 нс (Tj 25 °C, dIF/dt = 100 А/мкс).
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте тип каналу (N), корпус TO-3P, напругу Vds не нижче 650 В, а також Id та Rds(on) за однакових умов вимірювання. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення (SMPS)
- Високочастотні перетворювачі
- Швидкі ключі загального призначення
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити MD20N65?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з Vds не нижче 650 В; Id і Rds(on) порівнюйте за однакових умов вимірювання. У нашому каталозі підтверджених аналогів зараз немає. Перед заміною порівняйте datasheet.
Як перевірити MD20N65 мультиметром?
Виміряйте перехід затвор–витік і стік–витік у режимі діода. Вбудований діод між витоком і стоком є, тому в одному напрямку прилад покаже спад напруги. Справний транзистор не пропускає струм між стоком і витоком, поки на затворі немає напруги.
Чи підходить MD20N65 для імпульсного блока живлення?
Так, у документі виробника серед застосувань названо імпульсні блоки живлення (SMPS) і високочастотні перетворювачі. Напруга Vds – 650 В, струм Id – 20 А при TC 25 °C.
Документація виробника: MD20N65 (Minos).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.