Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOT-223 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CJT03P10 ( T03P10 ) оригінал, sot223
100,11 ₴
26 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
26 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CJT03P10 (T03P10) – P-канальний польовий транзистор (MOSFET) JSCJ у корпусі SOT-223. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOT-223 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P-канал |
| Напруга Vds | -100 В (VGS = 0 В, ID = -250 мкА) |
| Струм стоку Id | -3 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) (макс.) | 190 мОм (VGS = -10 В, ID = -3 А; типове 153 мОм) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В (макс.) | 210 мОм (VGS = -4,5 В, ID = -1 А; типове 166 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1 … -3 В (VDS = VGS, ID = -250 мкА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Потужність розсіювання Pd | 3.1 Вт (Ta 25 °C, плата 1 дюйм² з міддю 2 унції) |
| Вхідна ємність Ciss | 1419 пФ (f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Виробник | JSCJ |
| Корпус | SOT-223 |
| Стан | Оригінал |
CJT03P10 (T03P10) – P-канальний польовий транзистор виробництва JSCJ у корпусі SOT-223 для поверхневого монтажу. Напруга Vds -100 В (при VGS = 0 В, ID = -250 мкА), струм стоку Id -3 А при Ta 25 °C. Опір Rds(on) не більше 190 мОм при VGS = -10 В, ID = -3 А (типове значення 153 мОм), при VGS = -4,5 В, ID = -1 А – не більше 210 мОм. Порогова напруга Vgs(th) від -1 до -3 В. Напруга затвор–витік ±20 В, потужність розсіювання 3.1 Вт при Ta 25 °C на платі 1 дюйм² з міддю 2 унції, температура переходу до 150 °C. Виводи: 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік. Вхідна ємність Ciss типово 1419 пФ (f 1 МГц).
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, шукайте P-канальний транзистор у корпусі SOT-223 з такою самою розпіновкою. Напруга Vds і струм Id мають бути не нижчими, а Rds(on) – не вищим за наведені вище, при порівнянній напрузі на затворі. Параметри порівнюйте за datasheet.
Де застосовують
- Силові ключі загального призначення
Чим замінити CJT03P10?
У нашому каталозі підтверджених аналогів зараз немає. Шукайте P-канальний MOSFET у корпусі SOT-223 з такою самою розпіновкою (1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік), напругою Vds не нижче -100 В і струмом не менше -3 А. Параметри порівнюйте за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи керується CJT03P10 логічним рівнем?
Rds(on) нормовано при VGS = -10 В і при VGS = -4,5 В, порогова напруга Vgs(th) від -1 до -3 В. Для вашої схеми перевірте значення за datasheet.
Де у CJT03P10 стік, а де витік?
Виводи в корпусі SOT-223: 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік.
Документація виробника: CJT03P10 (JSCJ).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.