Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TF8N50 ( AOTF8N50 ) оригінал, TO220F
54,99 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TF8N50 (AOTF8N50) – високовольтний N-канальний польовий транзистор Alpha & Omega Semiconductor у корпусі TO-220F на 500 В. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, високовольтний |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor (AOS) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (600 В при Tj 150 °C) |
| Струм Id | 9 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В, TO-220F) |
| Струм Id (100 °C) | 6 А (Tc = 100 °C, TO-220F) |
| Rds(on) | 0,85 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 4 А) |
| Потужність Pd | 38,5 Вт (Tc = 25 °C, TO-220F) |
| Вхідна ємність Ciss | 868 пФ |
| Vgs | ±30 В макс. |
| Стан | Оригінал |
TF8N50 (AOTF8N50) – високовольтний N-канальний польовий транзистор (MOSFET) Alpha & Omega Semiconductor. Напруга стік-витік – 500 В (600 В при Tj 150 °C за Product Summary). Струм стоку у корпусі TO-220F – 9 А при Tc = 25 °C і VGS = 10 В, 6 А при Tc = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 0,85 Ом при VGS = 10 В, ID = 4 А (типове значення 0,63 Ом). Розсіювана потужність для TO-220F – 38,5 Вт при Tc = 25 °C. Діапазон температур переходу – від -55 до 150 °C. Виробник вказує 100 % UIS-тест (лавинна стійкість) і 100 % тест Rg. Вхідна ємність Ciss типово 868 пФ.
Це оригінал, не демонтаж. Корпус – TO-220F. Під час підбору заміни порівнюйте напругу, струм, Rds(on) і корпус за однакових умов вимірювання. Напруга затвор-витік – до ±30 В. Повний заряд затвора Qg – 23,6 нКл типово, 28 нКл максимум (VGS = 10 В, VDS = 400 В, ID = 8 А). Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- AC-DC застосування, мережеві джерела живлення (offline power supply designs).
Чим замінити TF8N50?
У нашій картці підтверджених аналогів немає. Підбирайте за напругою, струмом, Rds(on) і корпусом TO-220F, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить TF8N50 для мережевих джерел живлення?
У datasheet AOTF8N50 зазначені AC-DC застосування, зокрема мережеві джерела живлення (offline power supply designs).
Чим корпус TO-220F відрізняється за потужністю від TO-220?
У datasheet для TO-220F розсіювана потужність – 38,5 Вт, для TO-220 – 192 Вт (Tc = 25 °C).
Документація виробника: AOT8N50/AOTF8N50, Rev.8.1.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.