Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RUH1H150S оригінал, D2PAK
103,40 ₴
26 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
26 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
RUH1H150S – оригінальний N-канальний MOSFET виробництва Ruichips у корпусі D2PAK (TO-263). Використовується в приводах двигунів, DC/DC перетворювачах і джерелах безперебійного живлення.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 150 А (VGS 10 В, Tc 25 °C; обмеження корпусом 75 А) |
| Струм стоку Id при 100 °C | 106 А (VGS 10 В, Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3,8 мОм тип., 4,5 мОм макс. (VGS 10 В, ID 75 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 87 нКл (VDS 80 В, VGS 10 В, ID 75 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3650 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Пряма напруга діода | 1,2 В макс. (ISD 75 А, VGS 0 В) |
| Час відновлення діода trr | 36 нс (ISD 75 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
RUH1H150S – N-канальний MOSFET виробництва Ruichips у корпусі D2PAK (TO-263). Напруга стік–витік Vds 100 В при VGS 0 В, ID 250 мкА. Струм стоку Id 150 А при VGS 10 В, Tc 25 °C (обмеження корпусом 75 А) і 106 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) 3,8 мОм типове, 4,5 мОм максимум при VGS 10 В, ID 75 А. Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В при VDS = VGS, ID 250 мкА. Заряд затвора Qg 87 нКл при VDS 80 В, VGS 10 В, ID 75 А. Вхідна ємність Ciss типово 3650 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц). Потужність Pd 200 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 175 °C. Вбудований діод: пряма напруга до 1,2 В при ISD 75 А, час зворотного відновлення trr 36 нс при dI/dt 100 А/мкс.
Це оригінальна деталь, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, шукайте N-канальний MOSFET у корпусі D2PAK з Vds не нижче 100 В, Id і Rds(on) не гірше при VGS 10 В. Якщо заряд затвора Qg значно більший, перевірте драйвер. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Де застосовують
- приводи двигунів
- джерела безперебійного живлення
- DC/DC перетворювачі
- загальне застосування
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити RUH1H150S?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі D2PAK з Vds не нижче 100 В, Id і Rds(on) не гірші при VGS 10 В. Порівнюйте datasheet, взаємозамінність перевіряйте самостійно.
Чи можна брати 150 А як робочий струм?
Ні: 150 А вказано при Tc 25 °C, а корпус обмежує струм до 75 А. При Tc 100 °C струм стоку 106 А.
Як перевірити MOSFET мультиметром?
У режимі прозвонки діодів вбудований діод між стоком і витоком має вести в один бік і не вести в інший. Затвор відносно інших виводів провідності не має.
Документація виробника: RUH1H150S (Ruichips).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.