Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
HGQ022N03A ( 022N03A ) оригінальний транзистор, PDFN5x6
164,50 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HGQ022N03A – N-канальний MOSFET CR Micro у корпусі PDFN5x6 для ключів навантаження та ШІМ-схем. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм Id (TC=25 °C, кристал) | 140 А |
| Струм Id (TC=25 °C, корпус) | 100 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 94 А |
| Rds(on) | 1,6 мОм тип., 2,2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=19 А) |
| Vgs(th) | 1,0–2,5 В |
| Заряд затвора Qg | 52,5 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2758 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 78 Вт (TC=25 °C) |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
HGQ022N03A (маркування 022N03A) – N-канальний кремнієвий польовий транзистор CR Micro у корпусі PDFN5x6. Напруга Vds 30 В при VGS=0 В, ID=250 мкА. Струм стоку Id 140 А при TC=25 °C (ліміт кристала), 100 А при TC=25 °C (ліміт корпусу) і 94 А при TC=100 °C. Rds(on) 1,6 мОм (тип.), 2,2 мОм (макс.) при VGS=10 В, ID=19 А; при VGS=4,5 В – 2,8 мОм (тип.), 3,75 мОм (макс.). Порогова напруга Vgs(th) 1,0–2,5 В (тип. 1,5 В) при VDS=VGS, ID=250 мкА. Заряд затвора Qg 52,5 нКл при VGS=10 В, VDD=15 В, ID=20 А. Вхідна ємність Ciss типово 2758 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 78 Вт при TC=25 °C.
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал, Vds, Id, Rds(on) при тій самій напрузі на затворі, заряд затвора й корпус PDFN5x6: розпіновка в різних виробників може відрізнятися.
Де застосовують
- Ключ навантаження та ШІМ-схеми
- Блоки живлення адаптерів і зарядних пристроїв
- Електронні сигарети, електроінструмент
Чим замінити HGQ022N03A?
Підходить MOSFET з тим самим N-каналом, Vds не нижче 30 В, Id не нижче потрібного вам струму, Rds(on) не вищим за 2,2 мОм при VGS=10 В і корпусом PDFN5x6. Взаємозамінність перевіряйте за даташитом.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи можна керувати затвором від 4,5 В?
Для VGS=4,5 В у документі наведено Rds(on) 2,8 мОм (тип.), 3,75 мОм (макс.). Поріг Vgs(th) 1,0–2,5 В.
Чому в Id два значення при 25 °C?
140 А – ліміт кристала, 100 А – ліміт корпусу PDFN5x6. Для розрахунку орієнтуйтеся на менше значення.
Документація виробника: HGQ022N03A (CR Micro).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.