Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор G33N60E ( G33N60EF , SiHG33N60E , SiHG33N60EF ) оригінал демонтаж, TO247
282,00 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G33N60E – N-канальний MOSFET Vishay у корпусі TO-247 для блоків живлення й інверторів. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (TJ=25 °C) |
| Струм Id (TC=25 °C) | 33 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 21 А |
| Rds(on) | 0,085 Ом тип., 0,098 Ом макс. (VGS=10 В, ID=16,5 А) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл тип. (VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3454 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 278 Вт (TC=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
G33N60E (також G33N60EF, SiHG33N60E, SiHG33N60EF) – N-канальний польовий транзистор Vishay у корпусі TO-247. Напруга Vds 600 В при TJ=25 °C. Струм стоку Id 33 А при VGS=10 В, TC=25 °C, TJ=150 °C і 21 А при TC=100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) 0,085 Ом (тип.), 0,098 Ом (макс.) при VGS=10 В, ID=16,5 А, TJ=25 °C. Заряд затвора Qg 103 нКл (тип.) при VGS=10 В, ID=16,5 А, VDS=480 В. Вхідна ємність Ciss типово 3454 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 278 Вт при TC=25 °C. Вбудований діод швидкий.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Під час підбору заміни порівнюйте канал, Vds, Id, Rds(on), заряд затвора й корпус. Цифри наведено за документом на SiHG33N60EF-GE3, тому для варіанта без літери F звіряйте маркування на деталі.
Де застосовують
- Серверні та телеком-блоки живлення
- Освітлення (HID, LED)
- Зварювання, зарядні пристрої, сонячні інвертори
- Імпульсні блоки живлення (SMPS, LLC, ZVS-міст)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| 60R060P7 | канал N = N, Vds 600 ≥ 600, Id(25 °C) 48 ≥ 0.8×33=26.4, Rds(on) Vgs 10 В max 0.06 ≤ 1.3×0.098=0.127, корпус TO-247 = TO-247 | Умови вимірювання вбудованого діода в документах різні, тому швидкість діода не порівнювали; для схем із жорстким комутуванням діода перевірте режим. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити G33N60E?
Можна розглянути SiHG33N60E, G33N60EF і SiHG33N60EF – ці номери названо в назві товару. З нашого каталогу за параметрами підходить 60R060P7 (IPW60R060P7), але швидкість його вбудованого діода з нашими даними порівняти не можна: перевірте режим діода у вашій схемі.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Як перевірити MOSFET перед установкою?
Тестером перевірте відсутність пробою між виводами й цілісність виводів, потім встановіть у схему з Vds 600 В і струмом у межах Id.
Який вбудований діод у G33N60E?
Швидкий: trr 162 нс (тип.), 324 нс (макс.) при IF=IS=16,5 А, dI/dt=100 А/мкс, VR=400 В, TJ=25 °C; Vsd 0,9 В (тип.).
Документація виробника: SIHG33N60EF-GE3 (VISHAY).
Документ стосується варіантів G33N60EF і SiHG33N60EF; номерів G33N60E і SiHG33N60E без літери F у ньому немає.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.