Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRST033N08N оригінал, TO220
117,50 ₴
18 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
18 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CRST033N08N – N-канальний польовий транзистор на 85 В у корпусі TO-220. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга Vds | 85 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C, кристал) | 208 А |
| Струм Id (25 °C, корпус) | 160 А |
| Струм Id (100 °C) | 131 А |
| Rds(on) | 2,5 мОм тип., 3,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Vgs(th) | 2,2–3,8 В |
| Qg | 130 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 8930 пФ |
| Pd | 227 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
CRST033N08N – N-канальний MOSFET (серія SkyMOS1) виробництва CRMICRO у корпусі TO-220. Напруга Vds – 85 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку Id при Tc 25 °C – 208 А за межею кристала і 160 А за межею корпусу; при Tc 100 °C – 131 А (межа кристала). Опір відкритого каналу Rds(on) – 2,5 мОм типово, 3,0 мОм максимум при VGS = 10 В, ID = 80 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,2–3,8 В (типово 3 В). Заряд затвора Qg – 130 нКл при VGS = 10 В, VDS = 40 В, ID = 80 А. Вхідна ємність Ciss типово 8930 пФ. Діод тіла: Vsd до 1,4 В, trr 84 нс, Qrr 226 нКл. Потужність розсіювання Pd – 227 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C.
Це оригінал, не демонтаж. Для заміни порівнюйте Vds, Id, Rds(on) і заряд затвора Qg: якщо він значно більший, може знадобитися інший драйвер. Пряма заміна за даними виробника – CRSS031N08N. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Синхронне випрямлення в зарядних пристроях AC/DC
- Керування акумуляторами (BMS)
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
Чим замінити CRST033N08N?
Підходить N-канальний MOSFET у TO-220 з Vds не нижче 85 В і Rds(on) не гірше, ніж у цього транзистора. Пряма заміна за даними виробника – CRSS031N08N.
Який струм реально можна брати з цього транзистора?
Межа кристала – 208 А, межа корпусу – 160 А при Tc 25 °C. Реальний струм залежить від охолодження, тому в розрахунку орієнтуйтеся на значення при Tc 100 °C – 131 А.
Це оригінал чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить для BMS?
Серед застосувань за документом – керування акумуляторами (BMS), синхронне випрямлення і UPS. Для вашої схеми порівняйте напругу 85 В і Rds(on) 2,5 мОм з вимогами.
Документація виробника: CRST033N08N (CRMICRO).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.