Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS12N60F оригінал, TO220F
117,50 ₴
13 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
13 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CS12N60F – N-канальний польовий транзистор на 600 В у корпусі TO-220F, оригінал. Для імпульсних джерел живлення: адаптерів і зарядних пристроїв.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, VDMOS |
| Напруга Vdss | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C); 7.5 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.57 Ом тип., 0.75 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл тип. (Vgs 10 В, Vdd 480 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1980 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 42 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
CS12N60F – N-канальний MOSFET (VDMOS, планарна технологія) виробника Wuxi China Resources Huajing Microelectronics у корпусі TO-220F. За даними документа CS12N60FA9R (хвіст A9R – варіант виконання того ж номера): напруга Vdss 600 В при Tc 25 °C, струм стоку Id 12 А при Tc 25 °C і 7.5 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) типово 0.57 Ом, максимум 0.75 Ом, при Vgs 10 В, Id 6 А. Порогова напруга Vgs(th) 2.0–4.0 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА. Заряд затвора Qg типово 40 нКл (Vgs 10 В, Vdd 480 В, Id 12 А). Вхідна ємність Ciss типово 1980 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність Pd 42 Вт при Tc 25 °C, Tj max 150 °C.
Стан: оригінал, не копія. Для заміни потрібен N-канальний MOSFET у тому самому корпусі TO-220F. Порівнюйте Vds, Id і Rds(on) з документом. Запоріжжя, відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні джерела живлення: адаптери й зарядні пристрої
Чим замінити CS12N60F?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 600 В, не меншим струмом стоку і близьким Rds(on). Порівнюйте параметри з документом.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить для адаптера або зарядного пристрою?
Так, за документом транзистор призначений для імпульсних джерел живлення: адаптерів і зарядних пристроїв.
Яка потужність розсіювання?
Pd 42 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C.
Документація виробника: CS12N60FA9R (Wuxi China Resources Huajing Microelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.