Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор CRJQ41N65GCF оригінал демонтаж, TO247
345,92 ₴
14 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
14 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CRJQ41N65GCF – N-канальний MOSFET CRMICRO на 650 В у корпусі TO-247-3L. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, SJMOS (суперперехід) |
| Напруга Vds | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 74 А (Tc 25 °C, обмежено Tj max); 47 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 42 мОм тип., 48 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 35 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.3–4.6 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 168 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 480 В, Id 35 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6594 пФ |
| Потужність Pd | 687 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | ультрашвидкий |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | CRMICRO |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
CRJQ41N65GCF – N-канальний MOSFET виробника CRMICRO за технологією SJMOS (суперперехід) у корпусі TO-247-3L з ультрашвидким вбудованим діодом. За даними документа: напруга Vds 650 В при Tj 25 °C, струм стоку Id 74 А при Tc 25 °C (обмежено Tj max) і 47 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) типово 42 мОм, максимум 48 мОм, при Vgs 10 В, Id 35 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) 3.3–4.6 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА. Заряд затвора Qg типово 168 нКл при Vgs 10 В, Vds 480 В, Id 35 А. Вхідна ємність Ciss типово 6594 пФ. Потужність Pd 687 Вт при Tc 25 °C, Tj max 150 °C.
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Для заміни беріть N-канальний MOSFET у тому самому корпусі TO-247-3L з Vds не нижче 650 В і порівнянними Id та Rds(on); якщо Qg у кандидата помітно більший, перевірте драйвер. Запоріжжя, відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Освітлення, LED/LCD/PDP-телевізори й монітори
- Сонячні інвертори, ДБЖ
- Зарядні пристрої, джерела живлення
Чим замінити CRJQ41N65GCF?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-247-3L з Vds не нижче 650 В, не меншим струмом стоку і близьким Rds(on). Порівнюйте параметри з документом і перевіряйте драйвер затвора при більшому Qg.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Як перевірити MOSFET перед установкою?
Тестером перевірте відсутність пробою між виводами та обриву. Параметри під навантаженням перевіряють уже в схемі.
Який у нього вбудований діод?
За документом – ультрашвидкий (Ultra-fast body diode).
Документація виробника: CRJQ41N65GCF (CRMICRO).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.