Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JR150N03P оригінал, TO220
249,10 ₴
2 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
2 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
JR150N03P – оригінальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-220. За найближчим схожим даташитом: N-канал, 30 В, Rds(on) до 4,1 мОм.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 30 В |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 75 А) | 4,1 мОм (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
JR150N03P – польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-220, оригінал, не демонтаж. Документа саме на JR150N03P не знайшли, тому параметри наведено за найближчим схожим даташитом – UTT150N03 (UTC): N-канал, напруга стік–витік Vdss 30 В, напруга затвор–витік ±20 В. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 3,4 мОм, не більше 4,1 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А); при VGS = 4,5 В – типово 4,0 мОм, не більше 4,6 мОм. Порогова напруга Vgs(th) від 1 до 3 В. Заряд затвора Qg типово 106 нКл, не більше 132 нКл (VGS = 0…10 В, VDD = 15 В, ID = 75 А), вхідна ємність Ciss типово 5200 пФ (VDS = 15 В, f = 1 МГц). Тепловий опір перехід–корпус 0,94 °C/Вт, температура переходу до +150 °C.
Струм стоку й потужність розсіювання у картці не наводимо: у документі вони залежать від обмежень корпусу. За даташитом UTT150N03 такі транзистори застосовують у перетворювачах DC-DC, синхронних і звичайних ШІМ-контролерах. Заміну підбирайте за тим самим каналом (N), корпусом TO-220 і розпіновкою: Vdss не нижче 30 В, Rds(on) не вище 4,1 мОм при VGS = 10 В. Перед покупкою звірте маркування на вашій платі з назвою товару та порядок виводів. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- перетворювачі DC-DC
- синхронні та звичайні ШІМ-контролери
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити JR150N03P?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з такою самою розпіновкою, напругою стік–витік не нижче 30 В і опором відкритого каналу не вище 4,1 мОм при VGS = 10 В. Параметри JR150N03P наведено за найближчим схожим даташитом UTT150N03, тому струм і потужність звіряйте з документацією на вашу схему.
Які параметри у JR150N03P?
За найближчим схожим даташитом UTT150N03 (UTC): N-канал, 30 В, Rds(on) до 4,1 мОм при VGS = 10 В і ID = 75 А, корпус TO-220. Струм стоку й потужність не наводимо.
Звідки параметри JR150N03P?
Документа саме на JR150N03P не знайшли. Параметри взято з найближчого схожого даташиту – UTT150N03 (UTC) у корпусі TO-220. Точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Найближчий datasheet: UTT150N03 (UTC).
Точного даташиту на JR150N03P не знайдено. Параметри взято з найближчого схожого даташиту – UTT150N03 (UTC), корпус TO-220.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.