Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 6R600P ( IPP60R600CP ) оригінал, TO220
216,20 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
6R600P (IPP60R600CP) – N-канальний польовий транзистор на 600 В для силової комутації. Оригінал, корпус TO220.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 6.1 А (безперервний, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 15 А (одиночний імпульс, Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.6 Ом (макс., Vgs 10 В, Id 3.3 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–3.5 В (Vds=Vgs, Id 0.22 мА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Потужність Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Тепловий опір канал–корпус | 2.1 °C/Вт (макс.) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
6R600P (IPP60R600CP) – N-канальний MOSFET у корпусі TO-220, режим підсилення. Параметри наведено за документом IPP60R600CP (Inchange Semiconductor). Напруга Vds 600 В при Ta 25 °C, безперервний струм стоку 6.1 А при Ta 25 °C, імпульсний струм Idm 15 А (одиночний імпульс, Ta 25 °C). Опір Rds(on) макс. 0.6 Ом при Vgs 10 В, Id 3.3 А. Порогова напруга Vgs(th) 2.5–3.5 В при Vds=Vgs, Id 0.22 мА, напруга затвор–витік ±20 В. Потужність розсіювання 60 Вт при Tc 25 °C, тепловий опір канал–корпус макс. 2.1 °C/Вт, Tj до 150 °C. Пряма напруга діода Vsd макс. 1.2 В при If 3.3 А, Vgs 0 В.
У цьому лоті оригінальна деталь, не копія. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (N), Vds, струм стоку, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус із цими значеннями та з документом. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Чим замінити 6R600P?
Підійде N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 600 В, струмом стоку близьким до 6.1 А і Rds(on) не гірше 0.6 Ом при Vgs 10 В. Порівнюйте за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який номер у документа на цю деталь?
Документ – IPP60R600CP (Inchange Semiconductor), цей номер названо й у назві товару поруч із 6R600P.
Яка напруга керування затвором?
Rds(on) макс. 0.6 Ом наведено при Vgs 10 В, напруга затвор–витік не більше ±20 В.
Документація виробника: IPP60R600CP (Inchange Semiconductor).
Заряд затвора в документі не вказано; корпус TO-220 узято з назви товару.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.