Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247A-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG065N15 ( HYG065N15NS1W ) оригінал, TO247
305,50 ₴
22 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
22 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HYG065N15 (HYG065N15NS1W) – N-канальний польовий транзистор HUAYI для силової комутації та джерел безперебійного живлення. Оригінал, корпус TO247.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247A-3L |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 150 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 165 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 116 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 580 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 6.0 мОм (типове, Vgs 10 В, Ids 100 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В (типове, Ids 250 мкА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл (типове, Vds 75 В, Vgs 10 В, Id 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6646 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 375 Вт (Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0.40 °C/Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247A-3L |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
HYG065N15 (HYG065N15NS1W) – N-канальний MOSFET виробництва HUAYI у корпусі TO-247A-3L, режим підсилення. Напруга Vds 150 В, струм стоку 165 А при Tc 25 °C і 116 А при Tc 100 °C, імпульсний струм Idm 580 А при Tc 25 °C. Опір Rds(on) типово 6.0 мОм (макс. 7.5 мОм) при Vgs 10 В, Ids 100 А. Порогова напруга Vgs(th) типово 3 В (діапазон 2–4 В) при Ids 250 мкА, напруга затвор–витік ±20 В. Заряд затвора Qg типово 96 нКл при Vds 75 В, Vgs 10 В, Id 100 А. Вхідна ємність Ciss типово 6646 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 375 Вт при Tc 25 °C, тепловий опір перехід–корпус 0.40 °C/Вт, Tj до 175 °C.
У цьому лоті оригінальна деталь, не копія. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (N), Vds, струм стоку, Rds(on) при Vgs 10 В, заряд затвора й корпус із цими значеннями та з документом виробника. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Силова комутація
- Джерела безперебійного живлення
Чим замінити HYG065N15?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з Vds не нижче 150 В, струмом стоку близьким до 165 А і Rds(on) не гірше 6.0 мОм при Vgs 10 В. Параметри порівнюйте за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Яка напруга керування затвором?
Vgs 10 В – при ній наведено Rds(on) 6.0 мОм. Максимум напруги затвор–витік ±20 В.
Чи потрібен драйвер для HYG065N15?
Заряд затвора Qg типово 96 нКл при Vds 75 В, Vgs 10 В, Id 100 А. Для швидкого перемикання керуйте затвором від драйвера, розрахованого на такий заряд.
Документація виробника: HYG065N15NS1W (HUAYI).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.