Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор P1825HDB оригінал ( заміна для P1825BD ) , D-PAK
216,20 ₴
9 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
9 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
P1825HDB – N-канальний польовий транзистор NIKO-SEM у корпусі D-PAK (TO-252). Оригінал, може замінити P1825BD.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 250 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11 А |
| Опір Rds(on) | 230 мОм макс. (тип. 193 мОм), VGS=10 В, ID=9 А |
| Опір Rds(on) при Vgs 4,5 В | 286 мОм макс. (тип. 210 мОм), ID=9 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1–3 В (тип. 2 В) |
| Заряд затвора Qg | 24 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 788 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 74 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | NIKO-SEM |
| Стан | Оригінал |
P1825HDB – N-канальний MOSFET режиму збагачення виробництва NIKO-SEM у корпусі D-PAK (TO-252). Напруга Vds 250 В (VGS=0 В, ID=250 мкА). Струм стоку Id 18 А при TC 25 °C і 11 А при TC 100 °C. Опір Rds(on) не більше 230 мОм (тип. 193 мОм) при VGS=10 В, ID=9 А та не більше 286 мОм (тип. 210 мОм) при VGS=4,5 В. Порогова напруга Vgs(th) 1–3 В (тип. 2 В), напруга затвор–витік ±20 В. Заряд затвора Qg типово 24 нКл (VGS=10 В, VDS=200 В, ID=18 А). Вхідна ємність Ciss типово 788 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність Pd 74 Вт при TC 25 °C і 29 Вт при TC 100 °C, температура переходу до 150 °C.
Стан товару – оригінал. Магазин у Запоріжжі, відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня. P1825HDB може замінити P1825BD, зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Для підбору іншої заміни порівняйте канал, Vds, Id, Rds(on) при тому самому Vgs і корпус D-PAK.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи може P1825HDB замінити P1825BD?
Так, P1825HDB може замінити P1825BD. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чим замінити P1825HDB?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі D-PAK (TO-252) з Vds не нижче 250 В, Id не менше 18 А і Rds(on) близьким до 230 мОм або нижчим при VGS=10 В.
Чи керується P1825HDB напругою 4,5 В?
Rds(on) заданий і для VGS=4,5 В: не більше 286 мОм (тип. 210 мОм) при ID=9 А. При VGS=10 В – не більше 230 мОм.
Документація виробника: P1825HDB (NIKO-SEM).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.