Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GF10NC60KD ( STGF10NC60KD ) оригінал , TO220F
156,04 ₴
54 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
54 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GF10NC60KD (STGF10NC60KD) – IGBT-транзистор STMicroelectronics з вбудованим діодом, 600 В, 6 А при 100 °C. Оригінал, ізольований корпус TO-220FP.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT N-канал з діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, Ic 1 мА) |
| Струм Ic | 9 А (Tc 25 °C), 6 А (Tc 100 °C), корпус TO-220FP |
| Vce(sat) | 2,2 В тип., 2,5 В макс. (VGE 15 В, Ic 5 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл тип. (VCC 390 В, Ic 5 А, VGE 0–15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 380 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга ізоляції Viso | 2,5 кВ (RMS, 1 с) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
GF10NC60KD (STGF10NC60KD) – N-канальний IGBT-транзистор STMicroelectronics з вбудованим дуже м'яким ультрашвидким діодом у корпусі TO-220FP. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В (VGE = 0 В, Ic 1 мА). Струм колектора Ic – 9 А при Tc 25 °C і 6 А при Tc 100 °C для корпусу TO-220FP. Напруга насичення Vce(sat) – 2,2 В типово і 2,5 В макс. (VGE 15 В, Ic 5 А, Tj 25 °C). Заряд затвора Qg – 19 нКл типово (VCC 390 В, Ic 5 А). Вхідна ємність Cies типово 380 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність Ptot – 25 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Напруга ізоляції Viso – 2,5 кВ (RMS, 1 с, від трьох виводів до радіатора).
Це оригінал, не демонтаж. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня. Щоб підібрати заміну, порівнюйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність діода і корпус. За даними виробника, у цій серії є також STGB10NC60KDT4, STGD10NC60KDT4 і STGP10NC60KD; їхні корпуси перевіряйте окремо.
Де застосовують
- Керування двигунами на високій частоті
- Імпульсні джерела живлення та PFC (жорстке й резонансне перемикання)
- Приводи двигунів
Чим замінити GF10NC60KD?
Потрібен IGBT з Vces не нижче 600 В, зі струмом Ic при 100 °C, близьким до 6 А, порівнянним Vce(sat) і тим самим корпусом TO-220FP. За даними виробника, у серії є STGB10NC60KDT4, STGD10NC60KDT4 і STGP10NC60KD, але їхні корпуси перевіряйте окремо.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи потрібна ізолююча прокладка для GF10NC60KD?
Корпус TO-220FP ізольований: Viso 2,5 кВ (RMS, 1 с, від трьох виводів до радіатора), тому окрема прокладка зазвичай не потрібна.
Який у GF10NC60KD вбудований діод?
Дуже м'який ультрашвидкий діод: trr 22 нс (If 5 А, VR 40 В, di/dt 100 А/мкс, Tj 25 °C), Vf 2 В типово (If 5 А, Tj 125 °C).
Документація виробника: DS4320 Rev 9 (STGF10NC60KD).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.