Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DOD150N03 ( 150N03 ) оригінал ( заміна для CSD30N30 )(30V,150A), D-PAK
150,40 ₴
49 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
49 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
DOD150N03 (150N03) – N-канальний польовий транзистор Doingter у корпусі D-PAK, оригінал. Може замінити CSD30N30.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Doingter |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 150 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 98 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 3.3 мОм макс. (тип. 2,5 мОм; Id 30 А, Tc 25 °C) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 6.5 мОм макс. (тип. 4,5 мОм; Id 20 А) |
| Vgs(th) | 1–2.5 В (тип. 1,6 В; Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 15 В, Id 30 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3499 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 108 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
DOD150N03 (150N03) – N-канальний MOSFET виробника Doingter у корпусі TO-252 (D-PAK). Напруга Vds 30 В, струм стоку 150 А при Tc 25 °C і 98 А при Tc 100 °C. Rds(on) не більше 3.3 мОм (типово 2,5 мОм) при Vgs 10 В, Id 30 А і Tc 25 °C; при Vgs 4,5 В і Id 20 А – не більше 6.5 мОм. Порогова напруга Vgs(th) 1–2.5 В при Id 250 мкА, заряд затвора Qg типово 37 нКл. Вхідна ємність Ciss типово 3499 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність 108 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C. Вбудований діод є.
Стан – оригінал, не демонтаж. DOD150N03 може замінити CSD30N30; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Для інших замін дивіться на канал (N), Vds, струм стоку, Rds(on) і той самий корпус D-PAK.
Де застосовують
- Ключі на траншейній технології з низьким Rds(on) і малим зарядом затвора (загальне застосування)
Чим замінити DOD150N03?
У назві товару вказано заміну для CSD30N30: DOD150N03 може замінити CSD30N30. Зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи можна керувати транзистором напругою 4,5 В?
У документі наведено Rds(on) не більше 6.5 мОм при Vgs 4,5 В і Id 20 А, а при Vgs 10 В – не більше 3.3 мОм.
Яке маркування на корпусі?
На корпусі позначення 150N03.
Документація виробника: DOD150N03 (DOINGTER).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.