Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG55R190F ( OSG55R190FF ) оригінал, TO220F
216,20 ₴
48 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
48 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
OSG55R190F (OSG55R190FF) – N-канальний польовий транзистор Oriental Semiconductor на 550 В і 20 А, корпус TO-220F. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 550 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А (TC=25 °C); 12.5 А (TC=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 150 мОм тип., 190 мОм макс. (VGS=10 В, ID=10 А, Tj=25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.7–3.7 В |
| Заряд затвора Qg | 17.7 нКл (VGS=10 В, VDS=400 В, ID=10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 991.4 пФ (Vds 50 В, f 100 кГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 32 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
OSG55R190F (OSG55R190FF) – N-канальний MOSFET виробництва Oriental Semiconductor у корпусі TO-220F. Напруга стік-витік Vds – 550 В при VGS=0 В, ID=250 мкА. Струм стоку Id – 20 А при TC=25 °C і 12.5 А при TC=100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 150 мОм (тип.) і 190 мОм (макс.) при VGS=10 В, ID=10 А, Tj=25 °C. Порогова напруга Vgs(th) – 2.7–3.7 В при VDS=VGS, ID=250 мкА. Заряд затвора Qg – 17.7 нКл при VGS=10 В, VDS=400 В, ID=10 А. Вхідна ємність Ciss типово 991.4 пФ (Vds 50 В, f 100 кГц). Потужність розсіювання – 32 Вт при TC=25 °C, температура переходу до 150 °C.
У нашому каталозі це оригінальна деталь, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте канал, Vds, Id, Rds(on) і заряд затвора Qg. Корпус і розпіновка мають збігатися. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Блоки живлення ПК
- LED-освітлення
- Телеком- і серверні блоки живлення
- Зарядні станції EV
- Сонячні системи / ДБЖ
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим відрізняються OSG55R190F і OSG55R190FF?
У назві товару вказано обидва номери: OSG55R190F ( OSG55R190FF ). Документ виробника наведено на OSG55R190FF.
Чим замінити OSG55R190F?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 550 В, струмом Id і опором Rds(on) не гіршими, ніж у OSG55R190F. Якщо заряд затвора більший за 17.7 нКл, перевірте драйвер.
Який струм дозволяє OSG55R190F?
20 А при TC=25 °C і 12.5 А при TC=100 °C. Потужність розсіювання 32 Вт при TC=25 °C.
Документація виробника: OSG55R190FF (Oriental Semiconductor) V2.0.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.