Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор NCEP02T10 оригінал, TO220

164,50 ₴

20 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

20 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

NCEP02T10 – N-канальний польовий транзистор виробництва NCE Power на 200 В і 100 А, корпус TO-220. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds200 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм стоку Id100 А (TC=25 °C); 70.7 А (TC=100 °C)
Опір Rds(on)10 мОм тип., 12 мОм макс. (VGS=10 В, ID=50 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.5–4.5 В
Заряд затвора Qg87 нКл (VDS=100 В, ID=50 А, VGS=10 В)
Вхідна ємність Ciss6000 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання Pd300 Вт (TC=25 °C)
Макс. температура переходу Tj175 °C
Напруга затвор-витік Vgs±20 В
Час зворотного відновлення діода trr140 нс (TJ=25 °C, IF=50 А, di/dt=100 А/мкс)
КорпусTO-220
ВиробникNCE Power (Wuxi NCE Power Co., Ltd)
СтанОригінал
Опис

NCEP02T10 – N-канальний MOSFET виробництва NCE Power (Wuxi NCE Power Co., Ltd) у корпусі TO-220-3L. Гранична напруга стік-витік Vds – 200 В при VGS=0 В, ID=250 мкА. Струм стоку Id – 100 А при TC=25 °C і 70.7 А при TC=100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 10 мОм (тип.) і 12 мОм (макс.) при VGS=10 В, ID=50 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2.5–4.5 В при VDS=VGS, ID=250 мкА. Заряд затвора Qg – 87 нКл при VDS=100 В, ID=50 А, VGS=10 В. Вхідна ємність Ciss типово 6000 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 300 Вт при TC=25 °C, температура переходу до 175 °C.

У нашому каталозі це оригінальна деталь, не демонтаж. Для заміни порівнюйте канал, Vds, Id, Rds(on) і заряд затвора Qg: від нього залежить навантаження на драйвер. Корпус і розпіновка мають збігатися. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Перетворювачі DC/DC
  • Високочастотне перемикання та синхронне випрямлення
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити NCEP02T10?

Підійде MOSFET з N-каналом, Vds не нижче 200 В, струмом Id і опором Rds(on) при Vgs 10 В не гіршими, ніж у NCEP02T10, і тим самим корпусом TO-220. Якщо заряд затвора більший за 87 нКл, перевірте драйвер.

Яка напруга затвора потрібна?

Rds(on) 12 мОм (макс.) наведено при VGS=10 В. Порогова напруга Vgs(th) – 2.5–4.5 В, гранична напруга затвор-витік – ±20 В.

Який струм дає NCEP02T10?

100 А при TC=25 °C і 70.7 А при TC=100 °C – це струм при заданій температурі корпусу, а не в довільних умовах.

Datasheet

Документація виробника: NCEP02T10 (NCE).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

NCEP02T10 (NCE) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор IRL1404 оригінал , TO220

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon (International Rectifier)
Тип каналуN-канал, логічний рівень керування
Напруга Vdss40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А)
Rds(on)не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Розсіювана потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs±20 В (абсолютний максимум)
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Trench Gate
Напруга Vdss250 В
Струм Id25 (Tc 25 °C)50 А
Rds(on)60 мОм (макс.) при Vgs 10 В
Vgs(th)3.0–5.0 В при Id 1 мА
Заряд затвора Qg(on)78 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання400 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.