Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор HY3906P ( HY3906 ) оригінал,TO220

90,71 ₴

10 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

10 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

HY3906P (HY3906) – потужний N-канальний польовий транзистор HUAYI в корпусі TO-220 на 60 В і 190 А. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220FB-3L

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vds60 В (Tc 25 °C)
Струм Id190 А (Tc 25 °C), 128 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм Idm720 А (Tc 25 °C)
Rds(on) макс.4.0 мОм (Vgs 10 В, Id 95 А)
Заряд затвора Qg135 нКл (Vds 48 В, Vgs 10 В, Id 95 А, тип.)
Вхідна ємність Ciss5726 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)2.0 / 3.0 / 4.0 В (мін. / тип. / макс., Id 250 мкА)
Напруга затвор-витік Vgs±25 В
Потужність Pd220 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj175 °C
Тип каналуN-канал, режим збагачення
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал
Опис

HY3906P (HY3906) – N-канальний MOSFET режиму збагачення виробництва HUAYI (Huayi Microelectronics) в корпусі TO-220FB-3L. За datasheet напруга стік-витік Vds – 60 В (Tc 25 °C), струм стоку Id – 190 А при Tc 25 °C і 128 А при Tc 100 °C, імпульсний Idm – 720 А. Опір відкритого каналу Rds(on) – 4.0 мОм максимум при Vgs 10 В, Id 95 А. Повний заряд затвора Qg – 135 нКл (Vds 48 В, Vgs 10 В, Id 95 А, тип.), порогова напруга Vgs(th) – від 2.0 до 4.0 В, максимальна напруга затвор-витік – ±25 В. Вхідна ємність Ciss типово 5726 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність – 220 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 175 °C. Виробник вказує 100% avalanche тест.

Це оригінальна деталь, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівнюйте Vds, Id, Rds(on) при тій самій напрузі на затворі, заряд затвора Qg (від нього залежить навантаження на драйвер) та корпус із розпіновкою. Аналогів у нашому каталозі за цими правилами поки немає. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • перемикання навантаження (switching)
  • керування живленням в інверторних системах
Часто питають
Чим замінити HY3906P?

Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з тією самою розпіновкою: Vds не нижче 60 В, Id не нижче 190 А при 25 °C, Rds(on) не гірше 4.0 мОм при Vgs 10 В. Якщо Qg замінника значно більший за 135 нКл, перевірте, чи впорається драйвер.

Як перевірити польовий транзистор мультиметром?

Виміряйте діод між стоком і витоком: вбудований діод пропускає струм в один бік. Потім заряджіть затвор щодо витоку – канал має відкритися, а після розряду затвора закритися.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Який заряд затвора у HY3906P і що це означає для драйвера?

Qg – 135 нКл при Vds 48 В, Vgs 10 В, Id 95 А. Чим більший заряд, тим більший імпульсний струм потрібен від драйвера, щоб швидко перемикати транзистор.

Datasheet

Документація виробника: HY3906P/B, V1.0.

Параметри наведено за datasheet виробника HUAYI (HY3906P/B, V1.0); дату випуску документа не вказано.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

HY3906P/B, V1.0 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (постійний)20 А при Ta 25 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Напруга відсічки Vgs(off)2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА
Заряд затвора Qg65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd140 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура каналу Tch150 °C
Вбудований діодє: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)

В наявності

71,44 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (HEXFET)
Напруга Vds60 В
Струм стоку Id210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А)
Струм стоку Id (100 °C)150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В)
Rds(on)2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА)
Заряд затвора Qg120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss6540 пФ
Потужність Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникInfineon (International Rectifier)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.