Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY3008P ( HY3008 ) оригінал (80V,100A), TO220
59,69 ₴
20 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
20 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HY3008P (HY3008) – потужний N-канальний польовий транзистор HUAYI в корпусі TO-220 на 80 В і 100 А. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220FB-3L |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 100 А (Tc 25 °C), 70 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 400 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) тип. | 6.6 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Rds(on) макс. | 8.5 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл (Vds 64 В, Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс., Id 250 мкА) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±25 В |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
HY3008P (HY3008) – N-канальний MOSFET режиму збагачення виробництва HUAYI (Huayi Microelectronics) в корпусі TO-220FB-3L. У назві товару вказано 80V, 100A. За datasheet напруга стік-витік Vds – 80 В (Tc 25 °C), струм стоку Id – 100 А при Tc 25 °C і 70 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on): 6.6 мОм типово, 8.5 мОм максимум при Vgs 10 В, Id 50 А. Повний заряд затвора Qg – 67 нКл (Vds 64 В, Vgs 10 В, Id 50 А), порогова напруга Vgs(th) – від 2 до 4 В, максимальна напруга затвор-витік – ±25 В. Вхідна ємність Ciss типово 3150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність – 200 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 175 °C.
Це оригінальна деталь, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівнюйте не лише Vds і Id, а й Rds(on) при тій самій напрузі на затворі, заряд затвора Qg (від нього залежить навантаження на драйвер) та корпус із розпіновкою. Аналогів у нашому каталозі за цими правилами поки немає. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- перемикання навантаження (switching)
- керування живленням в інверторних системах
Чим замінити HY3008P?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з тією самою розпіновкою: Vds не нижче 80 В, Id не нижче 100 А при 25 °C, Rds(on) не гірше 8.5 мОм при Vgs 10 В. Якщо Qg замінника значно більший за 67 нКл, перевірте, чи впорається драйвер.
Як перевірити польовий транзистор мультиметром?
Виміряйте діод між стоком і витоком: вбудований діод пропускає струм в один бік. Потім заряджіть затвор щодо витоку – канал має відкритися, а після розряду затвора закритися.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Якою напругою керувати затвором HY3008P?
Опір каналу в datasheet вказано при Vgs 10 В. Порогова напруга Vgs(th) – від 2 до 4 В, максимально допустима на затворі – ±25 В.
Документація виробника: HY3008P/M/B/MF/PL/PM, V1.0.
Параметри наведено за datasheet виробника HUAYI (HY3008P/M/B/MF/PL/PM, V1.0); дату випуску документа не вказано.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.