Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GP8NC60KD ( STGP8NC60KD ) оригінал, TO220
114,68 ₴
7 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
7 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GP8NC60KD (STGP8NC60KD) – IGBT-транзистор STMicroelectronics на 600 В у корпусі TO-220 з вбудованим діодом. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В (VGE = 0) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 15 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 8 А |
| Імпульсний струм Icp | 30 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип., 2.75 В макс. (VGE = 15 В, Ic = 3 А, TC = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 4.5–6.5 В |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Вбудований діод | так, антипаралельний, дуже м’який ультрашвидкий |
| Температура переходу Tj | від -55 до 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Вхідна ємність Cies | 380 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
STGP8NC60KD (маркування GP8NC60KD) – IGBT-транзистор STMicroelectronics у корпусі TO-220 з вбудованим антипаралельним діодом, дуже м'яким ультрашвидким. Напруга колектор-емітер Vces – 600 В при VGE = 0. Струм колектора Ic – 15 А при TC = 25 °C і 8 А при TC = 100 °C (колонка TO-220). Імпульсний струм Icp – 30 А. Напруга насичення Vce(sat) – 2.2 В типова і 2.75 В максимальна при VGE = 15 В, Ic = 3 А, TC = 25 °C. Напруга затвор-емітер Vge – ±20 В, порогова Vge(th) – 4.5–6.5 В при VCE = VGE, Ic = 250 мкА. Температура переходу Tj – від -55 до 150 °C. Вхідна ємність Cies типово 380 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц).
Стан: оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat), корпус і розпіновку; параметри порівнюйте лише при однакових умовах. Виробник називає в цій серії також STGB8NC60KD, STGD8NC60KD і STGF8NC60KD – це інші корпуси, тому корпус і розпіновку перевіряйте окремо. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Високочастотні керування двигунами
- SMPS і PFC (жорстке перемикання та резонансні топології)
- Драйвери двигунів
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує GP8NC60KD?
Ic – 15 А при TC = 25 °C і 8 А при TC = 100 °C для корпусу TO-220. Імпульсний струм Icp – 30 А, обмежений максимальною температурою переходу.
Чи є в транзисторі вбудований діод?
Так, антипаралельний, дуже м'який ультрашвидкий.
Чим замінити GP8NC60KD?
Порівняйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat), корпус і розпіновку при однакових умовах. У каталозі підходящих аналогів зараз немає. Інші виконання серії за даними виробника: STGB8NC60KD, STGD8NC60KD, STGF8NC60KD.
Документація виробника: STGB8NC60KD - STGD8NC60KD - STGF8NC60KD - STGP8NC60KD, Rev 2.
Параметри наведено за datasheet виробника STMicroelectronics (документ на серію STGB8NC60KD, STGD8NC60KD, STGF8NC60KD, STGP8NC60KD); значення Ic наведено для корпусу TO-220.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.