Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDPF5N50UT ( 5N50UT ) оригінал, TO220F
56,40 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FDPF5N50UT (5N50UT) – N-канальний польовий транзистор зі швидким діодом для блоків живлення й освітлення, корпус TO-220F. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (UniFET Ultra FRFET) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 4 А (Tc 25 °C); 2.4 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) типовий | 1.65 Ом (Vgs 10 В, Id 2 А) |
| Опір Rds(on) максимальний | 2 Ом (Vgs 10 В, Id 2 А) |
| Заряд затвора Qg | 11 нКл типовий (Vds 400 В, Id 4 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 485 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–5 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 28 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Час відновлення діода trr | менше 50 нс |
| Стан | Оригінал |
FDPF5N50UT (маркування 5N50UT) – N-канальний польовий транзистор серії UniFET Ultra FRFET у корпусі TO-220F. За datasheet Fairchild Semiconductor (onsemi): напруга Vds 500 В (Tc 25 °C), струм стоку Id 4 А при Tc 25 °C і 2.4 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) типовий 1.65 Ом, максимальний 2 Ом (Vgs 10 В, Id 2 А). Заряд затвора Qg типовий 11 нКл (Vds 400 В, Id 4 А, Vgs 10 В). Вхідна ємність Ciss типово 485 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) 3–5 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА), потужність розсіювання 28 Вт при Tc 25 °C. Вбудований діод швидкий: trr менше 50 нс.
Стан: оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте з datasheet напругу Vds, струм Id, опір Rds(on) при Vgs 10 В, заряд затвора Qg і корпус TO-220F. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- LCD/LED TV
- Освітлення
- Джерела безперебійного живлення
- AC-DC блоки живлення, корекція коефіцієнта потужності (PFC), живлення плоских панелей, ATX, електронні баласти ламп
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити FDPF5N50UT?
Потрібен N-канальний транзистор у корпусі TO-220F з Vds не нижче 500 В, порівнянними струмом Id і опором Rds(on) при Vgs 10 В. Порівнюйте параметри за datasheet.
Як перевірити польовий транзистор мультиметром?
Увімкніть на мультиметрі режим перевірки діодів і перевірте діод між витоком і стоком. Затвор не повинен мати витоку на витік і стік. Перевірку робіть на відключеній від схеми деталі.
Який у FDPF5N50UT діод між витоком і стоком?
Швидкий (Ultra FRFET): час відновлення trr менше 50 нс.
Документація виробника: FDPF5N50UT Rev. C2.
Параметри наведено за datasheet виробника FDPF5N50UT Rev. C2 (Fairchild Semiconductor, onsemi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.