Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор 80R900P ( MMF80R900PTH ) оригінал, TO220F

75,67 ₴

6 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

6 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

80R900P (MMF80R900PTH) – N-канальний польовий транзистор Magnachip на 800 В у корпусі TO220F. Оригінал, не копія.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал (superjunction)
ВиробникMagnachip
Напруга Vdss800 В (Tc = 25 °C)
Струм Id (Tc = 100 °C)3,8 А
Rds(on) макс.0,9 Ом (VGS = 10 В, ID = 3,8 А)
Розсіювана потужність29,8 Вт (Tc = 25 °C)
Вхідна ємність Ciss574 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-220F
СтанОригінал
Опис

80R900P – це маркування транзистора MMF80R900PTH виробництва Magnachip, N-канального MOSFET (superjunction) на 800 В. Напруга стік-витік Vdss – 800 В при Tc = 25 °C; при максимальній температурі переходу Vds – 850 В. Струм стоку Id – 3,8 А при Tc = 100 °C, імпульсний струм Idm – 18 А. Опір відкритого каналу Rds(on): типово 0,78 Ом, максимум 0,9 Ом при Vgs = 10 В, Id = 3,8 А. Заряд затвора Qg – 17,6 нКл (типове значення при Vgs = 10 В, Vds = 640 В, Id = 6 А). Вхідна ємність Ciss типово 574 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність – 29,8 Вт при Tc = 25 °C, напруга затвор-витік Vgs – ±30 В.

Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте з datasheet тип каналу, Vdss, Id при Tc = 100 °C, Rds(on) при Vgs = 10 В і корпус TO220F: він має бути тим самим, з тією ж розпіновкою. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Каскади PFC блоків живлення, комутаційні застосування, адаптери.
Часто питають
Чим замінити 80R900P?

Підбирайте N-канальний MOSFET з Vdss не нижче 800 В, корпусом TO220F і схожими Id та Rds(on) при Vgs = 10 В. Порівнюйте за datasheet, а не за назвою.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим відрізняються 800 В і 850 В у datasheet?

800 В – Vdss при Tc = 25 °C, 850 В – Vds при максимальній температурі переходу. Це два окремі значення, а не розбіжність.

Чи підходить для блоків живлення?

Так, за даними datasheet деталь застосовують у каскадах PFC блоків живлення й адаптерах.

Datasheet

Документація виробника: MMF80R900PTH Datasheet, 800V 0.9 Ohm N-channel MOSFET, Revision 1.4.

Параметри наведено за datasheet виробника Magnachip (MMF80R900PTH, Rev 1.4, червень 2021).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

MMF80R900PTH Datasheet, 800V 0.9 Ohm N-channel MOSFET, Revision 1.4 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN (режим збагачення)
Напруга Vds80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd345 Вт (TC 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247

В наявності

96,35 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss80 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)200 А
Струм Id (100 °C)153 А
Rds(on)2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А
Vgs(th)2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА
Qg195 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd397 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-247
ВиробникHooyi (Huayi)
СтанОригінал

Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)

В наявності

71,44 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (HEXFET)
Напруга Vds60 В
Струм стоку Id210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А)
Струм стоку Id (100 °C)150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В)
Rds(on)2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА)
Заряд затвора Qg120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss6540 пФ
Потужність Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникInfineon (International Rectifier)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220

В наявності

70,97 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Super Trench
Напруга Vds85 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)160 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)112 А
Опір Rds(on) (тип.)3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм
Заряд затвора Qg105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd220 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
ВиробникNCE Power
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.