Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STF5N52U ( 5N52U ) оригінал, TO-220F
94,00 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STF5N52U (5N52U) – N-канальний польовий транзистор на 525 В, 4.4 А у корпусі TO-220F для імпульсних перетворювачів. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 525 В мін. (VGS 0 В, ID 1 мА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 4.4 А (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 2.8 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 1.25 Ом тип., 1.50 Ом макс. (VGS 10 В, ID 2.2 А) |
| Заряд затвора Qg | 16.9 нКл (VDD 416 В, ID 4.4 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 529 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3–4.5 В, тип. 3.75 В (VDS = VGS, ID 50 мкА) |
| Потужність Pd | 25 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
STF5N52U (маркування 5N52U) – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics у корпусі TO-220F. Напруга Vds – мінімум 525 В (VGS 0 В, ID 1 мА). Струм стоку Id – 4.4 А при TC 25 °C і 2.8 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – типово 1.25 Ом, максимум 1.50 Ом (VGS 10 В, ID 2.2 А). Заряд затвора Qg – 16.9 нКл (VDD 416 В, ID 4.4 А, VGS 10 В). Вхідна ємність Ciss типово 529 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – від 3 до 4.5 В, типово 3.75 В (VDS = VGS, ID 50 мкА). Потужність розсіювання Pd – 25 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, шукайте N-канальний транзистор у корпусі TO-220F з напругою Vds не нижче 525 В і струмом Id не менше 4.4 А, а Rds(on) при VGS 10 В порівняйте за даташитом. Якщо заряд затвора в заміни більший, перевірте драйвер. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні перетворювачі
Чим замінити STF5N52U?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds 525 В або вище, струмом Id не менше 4.4 А і порівнянним Rds(on). Qg та Vgs(th) порівняйте за даташитом. Підібрані аналоги під цю деталь у каталозі поки не підтверджені документами.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Для яких схем підходить STF5N52U?
У документі як застосування вказано імпульсні перетворювачі (Switching applications).
Який струм дозволений при нагріванні корпусу?
Id – 4.4 А при TC 25 °C і 2.8 А при TC 100 °C. Потужність розсіювання – 25 Вт при TC 25 °C.
Документація виробника: STF5N52U (STMicroelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.