Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор 2SK4107 ( K4107 ) оригінал демонтаж, TO-3P
77,55 ₴
7 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
7 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
2SK4107 (K4107) – N-канальний польовий транзистор Toshiba на 500 В, 15 А у корпусі TO-3P для імпульсних регуляторів напруги. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В (VDSS) |
| Струм стоку Id | 15 А (DC, Ta 25 °C; імпульсний IDP 60 А) |
| Rds(on) | 0.33 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS 10 В, ID 7.0 А) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл тип. (VDD ≈ 400 В, VGS 10 В, ID 15 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2450 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS 10 В, ID 1 мА) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Тип каналу | N |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
2SK4107 (маркування K4107) – N-канальний польовий транзистор Toshiba серії π-MOS VI у корпусі TO-3P. Напруга стік–витік Vds – 500 В (VDSS). Струм стоку Id – 15 А (DC, Ta 25 °C), імпульсний IDP – 60 А. Опір відкритого каналу Rds(on) – типово 0.33 Ом, максимум 0.4 Ом (VGS 10 В, ID 7.0 А). Заряд затвора Qg – типово 48 нКл (VDD ≈ 400 В, VGS 10 В, ID 15 А). Вхідна ємність Ciss типово 2450 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – від 2.0 до 4.0 В (VDS 10 В, ID 1 мА). Потужність розсіювання Pd – 150 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура каналу Tch – 150 °C. Вбудований діод є.
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, шукайте N-канальний транзистор у корпусі TO-3P з напругою Vds не нижче 500 В і струмом Id не менше 15 А, а Rds(on) і Qg порівняйте за даташитом. Якщо заряд затвора в заміни більший, перевірте, чи впорається драйвер. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні регулятори напруги
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| 2SK2698 | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 15 ≥ 0.8×15=12, Rds(on) Vgs 10 В typ 0.35 ≤ 1.3×0.33=0.429, корпус TO-3P = TO-3P | Rds(on) трохи вищий за 0.33 Ом: більше нагрівання при тому ж струмі | Купити |
| 2SK2837 | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×15=12, Rds(on) Vgs 10 В typ 0.21 ≤ 1.3×0.33=0.429, корпус TO-3P = TO-3P | демонтаж | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити 2SK4107?
У каталозі є транзистори з тим самим корпусом Toshiba, які підходять за напругою, струмом і опором каналу: 2SK2698 і 2SK2837. Остаточно порівнюйте параметри за даташитом.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Як перевірити транзистор 2SK4107 мультиметром?
Переконайтеся, що між стоком і витоком у режимі прозвонки діод проводить струм лише в один бік, а затвор не має зв'язку з іншими виводами. Це базова перевірка на пробій та обрив, але вона не замінює вимірювання параметрів у схемі.
Чи підходить для імпульсних регуляторів напруги?
Так, у документі Toshiba як застосування вказано імпульсні регулятори напруги. Вбудований діод у транзисторі є: його зворотний струм IDR – 15 А.
Документація виробника: 2SK4107 (Toshiba).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.