Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор FMH07N90E ( 07N90E ) оригінал, TO-3P

183,30 ₴

6 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

6 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

FMH07N90E (07N90E) – N-канальний польовий транзистор Fuji Electric у корпусі TO-3P, оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникFuji Electric
Тип каналуN
КорпусTO-3P
Напруга Vds900 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id7 А (Tc 25 °C)
Rds(on)1.65 Ом тип., 2.0 Ом макс. (VGS 10 В, ID 3.5 А)
Заряд затвора Qg39 нКл тип. (Vcc 450 В, ID 7 А, VGS 10 В)
Вхідна ємність Ciss1200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd145 Вт (Tc 25 °C)
Tch макс.150 °C
СтанОригінал
Опис

FMH07N90E (маркування 07N90E) – N-канальний MOSFET Fuji Electric серії Super FAP-E3 у корпусі TO-3P. Напруга Vds становить 900 В при Tc 25 °C. Безперервний струм стоку Id – 7 А при Tc 25 °C, імпульсний IDP – 28 А. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 1.65 Ом (макс. 2.0 Ом) при VGS 10 В, ID 3.5 А, Tch 25 °C. Заряд затвора Qg типово 39 нКл при Vcc 450 В, ID 7 А, VGS 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 1200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 145 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура каналу Tch – 150 °C. Вбудований діод є.

Це оригінал, не демонтаж. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня. Щоб підібрати заміну, порівняйте корпус TO-3P, тип каналу N, Vds, Id та Rds(on) за даташитом. Qg і поріг Vgs(th) впливають на драйвер затвора, тому їх теж варто звірити.

Де застосовують

  • Імпульсні регулятори напруги
  • Джерела безперебійного живлення (UPS)
  • DC-DC перетворювачі
Часто питають
Чим замінити FMH07N90E?

Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з Vds 900 В або вище, струмом Id не менше 7 А і не вищим Rds(on). Qg та Vgs(th) порівняйте за даташитом, щоб підійшов драйвер затвора. Підібрані аналоги під цю деталь у каталозі поки не підтверджені документами.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи є у транзистора вбудований діод?

Так. VSD типово 0.90 В, макс. 1.35 В при IF 7 А, VGS 0 В.

Яка напруга Vds у FMH07N90E?

900 В при Tc 25 °C.

Datasheet

Документація виробника: FMH07N90E (Fuji Electric).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

FMH07N90E (Fuji Electric) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)202 А
Струм Id (100 °C)143 А
Rds(on)3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А
Vgs(th)2–4 В при Id 250 мкА
Qg103.6 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd271 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
ВиробникIPS
СтанОригінал

Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)12 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)7.6 А
Опір Rds(on) (тип.)0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникSilan
СтанОригінал

Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (DC)15 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура каналу Tch150 °C
Напруга Vgss±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.