Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор RJP63K2 оригінал демонтаж б/в, D2PAK

188,00 ₴

5 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

5 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

RJP63K2 – IGBT-транзистор Renesas у корпусі D2PAK. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникRenesas
ТипIGBT n-канал
Напруга Vces630 В
Струм Ic (Ta 25 °C)35 А
Імпульсний струм Ic200 А
Vce(sat) (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C)1,9 В тип., 2,4 В макс.
Напруга Vges±30 В
Заряд затвора Qg20 нКл
Вхідна ємність Cies620 пФ
Tj макс.150 °C
КорпусD2PAK
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

RJP63K2 – n-канальний IGBT-транзистор Renesas у корпусі D2PAK для швидкого силового перемикання. Напруга колектор–емітер Vces – 630 В. Струм колектора Ic – 35 А при Ta 25 °C, імпульсний – 200 А (імпульс до 10 мкс, шпаруватість до 1 %). Напруга насичення Vce(sat) – 1,9 В типово, 2,4 В максимум при Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C. Напруга затвор–емітер Vges – ±30 В, порогова Vge(off) – 2,5–5 В при Vce 10 В, Ic 1 мА. Заряд затвора Qg – 20 нКл при Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 35 А. Вхідна ємність Cies – 620 пФ, максимальна температура переходу Tj – 150 °C.

Стан: оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Виробник Renesas ставить на сторінці приладу позначку Obsolete, тобто серію знято з виробництва. Щоб підібрати заміну, порівнюйте Vces, Ic, Vce(sat), Qg і корпус.

Де застосовують

  • Швидке силове перемикання (High Speed Power Switching)
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Чим замінити RJP63K2?

Підбирайте IGBT у корпусі D2PAK з не меншою напругою Vces, не нижчим струмом Ic, порівнянними Vce(sat) і Qg. Порівнюйте за datasheet обох деталей.

Чи знята RJP63K2 з виробництва?

Renesas позначає прилад як Obsolete, тому нові деталі знайти важко, а демонтаж лишається доступним варіантом.

Яка технологія в RJP63K2?

Datasheet вказує серію G6H-II на технології trench gate і тонкої пластини.

Datasheet

Документація виробника: R07DS0468EJ0200 Rev.2.00, RJP63K2DPP-M0 (Preliminary Datasheet).

Параметри наведено за datasheet Renesas на RJP63K2DPP-M0 і RJP63K2DPK-M0 (Preliminary, 2011).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

R07DS0468EJ0200 Rev.2.00, RJP63K2DPP-M0 (Preliminary Datasheet) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)100 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Імпульсний струм колектора Icm150 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)235 Вт
Напруга насичення Vce(sat)2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C)
КорпусTO-3P
Вбудований діодVf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс
СтанОригінал

IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
НомерIRGP20B60PD
МаркуванняGP20B60PD
ВиробникInfineon (International Rectifier)
ТипIGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)22 А
Vce(on)2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)220 Вт
Вхідна ємність Cies1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi NCE Power
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Потужність Pd (25 °C)286 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.7 В
Заряд затвора Qg176 нКл
Вхідна ємність Cies4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 40 А, 25 °C)1.65 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi NCE Power
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Потужність Pd (25 °C)316 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.7 В
Заряд затвора Qg262 нКл
Вхідна ємність Cies7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 60 А, 25 °C)1.7 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.