Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор TK15A60U ( K15A60U ) оригінал , TO220F

94,00 ₴

12 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

12 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

TK15A60U ( K15A60U ) – N-канальний MOSFET Toshiba (DTMOS II) у корпусі TO-220F, Vds 600 В, Id 15 А. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникToshiba
Тип каналуN (DTMOS II)
Напруга Vds600 В (Ta 25 °C)
Струм стоку Id (DC)15 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)3.0–5.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Заряд затвора Qg17 нКл (Vdd 400 В, Vgs 10 В, Id 15 А)
Вхідна ємність Ciss950 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура каналу150 °C
Час зворотного відновлення діода trr530 нс (Idr 15 А, Vgs 0 В)
КорпусTO-220F
СтанОригінал
Опис

TK15A60U (маркування K15A60U) – N-канальний MOSFET серії DTMOS II виробництва Toshiba у корпусі TO-220F (SC-67, 2-10U1B). Напруга Vds – 600 В при Ta 25 °C. Струм стоку Id (DC) – 15 А при Ta 25 °C. Опір Rds(on) – 0.24 Ом типово і 0.3 Ом максимум при Vgs 10 В, Id 7.5 А. Порогова напруга Vgs(th) – 3.0–5.0 В при Vds 10 В, Id 1 мА. Заряд затвора Qg – 17 нКл при Vdd 400 В, Vgs 10 В, Id 15 А. Вхідна ємність Ciss типово 950 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц). Потужність Pd – 40 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура каналу – 150 °C. Час зворотного відновлення діода trr – 530 нс при Idr 15 А, Vgs 0 В.

Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте тип каналу, Vds, Id, Rds(on), Qg і корпус із цими цифрами та з datasheet. Корпус має бути той самий – TO-220F. Перевірених аналогів у каталозі для цієї деталі зараз немає. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Імпульсні регулятори напруги (Switching Regulator Applications).
Часто питають
Чим замінити TK15A60U?

Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 600 В, Id не нижче 15 А та Rds(on) не гірше 0.3 Ом при Vgs 10 В. Перед заміною порівняйте datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Що означає K15A60U у назві?

Це маркування на корпусі деталі TK15A60U.

Яка в TK15A60U швидкість діода?

Час зворотного відновлення вбудованого діода trr – 530 нс при Idr 15 А, Vgs 0 В. Це враховуйте у схемах, де діод проводить струм.

Datasheet

Документація виробника: TK15A60U(STA4,X,M) (TOSHIBA).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

TK15A60U(STA4,X,M) (TOSHIBA) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247

В наявності

96,35 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss80 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)200 А
Струм Id (100 °C)153 А
Rds(on)2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А
Vgs(th)2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА
Qg195 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd397 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-247
ВиробникHooyi (Huayi)
СтанОригінал

Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)

В наявності

71,44 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (HEXFET)
Напруга Vds60 В
Струм стоку Id210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А)
Струм стоку Id (100 °C)150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В)
Rds(on)2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА)
Заряд затвора Qg120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss6540 пФ
Потужність Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникInfineon (International Rectifier)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220

В наявності

70,97 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Super Trench
Напруга Vds85 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)160 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)112 А
Опір Rds(on) (тип.)3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм
Заряд затвора Qg105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd220 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
ВиробникNCE Power
СтанОригінал

Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET (CoolMOS)
V(BR)DSS500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Струм Id16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C)
Qg66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А)
Вхідна ємність Ciss1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Ptot160 Вт (Tc 25 °C)
Vgs±20 В
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.