Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G22N60S ( SiHG22N60S ) оригінал, TO247
188,00 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G22N60S (SiHG22N60S) – оригінальний N-канальний MOSFET Vishay у корпусі TO-247AC на 600 В і 22 А (при 25 °C). Для PFC, інверторів, UPS і живлення.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 22 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 13 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 11 А) | 0,160 Ом тип., 0,190 Ом макс. |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Напруга Vgs макс. | ±30 В |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл тип., 115 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 2810 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 250 Вт |
| Діапазон Tj | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
G22N60S (SiHG22N60S) – N-канальний польовий транзистор Vishay у корпусі TO-247AC. Напруга стік-витік Vds – 600 В (VGS 0 В, ID 1 мА, Tj 25 °C). Струм стоку Id – 22 А при Tc 25 °C і 13 А при Tc 100 °C (VGS 10 В). Опір відкритого каналу Rds(on) типово 0,160 Ом, макс. 0,190 Ом при VGS 10 В, ID 11 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В при ID 250 мкА, максимальна напруга затвор-витік ±30 В. Заряд затвора Qg типово 75 нКл (макс. 115 нКл) при VGS 10 В, ID 22 А, VDS 480 В. Вхідна ємність Ciss типово 2810 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 250 Вт при Tc 25 °C. Вбудований діод є: Vsd макс. 1,2 В, trr 462 нс (тип.).
Це оригінал, не демонтаж. Для заміни шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з Vds не нижче 600 В, Id, близьким до 22 А, і Rds(on) порівнянним з 0,190 Ом при Vgs 10 В. Прямі заміни за даними виробника: SiHG22N60S-GE3, SiHP22N60S-E3, SiHF22N60S-E3, SiHB22N60S-E3. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Каскади PFC блоків живлення, схеми жорсткого перемикання
- Сонячні інвертори, UPS, керування двигунами, освітлення, серверне й телеком-живлення
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| 60R060P7 | канал N = N, Vds 600 ≥ 600, Id(25 °C) 48 ≥ 0.8×22 = 17.6, Rds(on) макс. 0.06 ≤ 1.3×0,190 при Vgs 10 В, корпус TO-247 = TO-247 | Qg 67 нКл не більший за Qg 75 нКл, драйвер не змінюється. Це демонтаж. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити G22N60S?
У каталозі є 60R060P7 (IPW60R060P7), TO-247: Vds 600 В, Id 48 А при 25 °C, Rds(on) макс. 0,06 Ом при Vgs 10 В. Це демонтаж. За даними виробника також підходять SiHG22N60S-GE3, SiHP22N60S-E3, SiHF22N60S-E3, SiHB22N60S-E3, але корпус перевіряйте за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує G22N60S?
Id 22 А при Tc 25 °C і 13 А при Tc 100 °C, VGS 10 В. Напруга Vds – 600 В.
Чи є у G22N60S вбудований діод?
Так. Vsd макс. 1,2 В при IS 22 А, VGS 0 В, Tj 25 °C; trr 462 нс (тип.).
Документація виробника: SIHG22N60S-E3 (Vishay).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.