Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE6050A оригінал, TO220
76,61 ₴
9 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
9 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
NCE6050A – оригінальний N-канальний польовий транзистор NCE Power у корпусі TO-220 на 60 В і 50 А. Підходить для силових ключів і джерел безперебійного живлення.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 60 В при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id | 50 А при Tc 25 °C; 35.4 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Idm | 90 А |
| Rds(on) | 20 мОм макс. при Vgs 10 В, Id 20 А (тип. 14 мОм) |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл при Vds 30 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2050 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 1.4–2.5 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 85 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power (Wuxi NCE Power Semiconductor) |
| Стан | Оригінал |
NCE6050A – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) режиму збагачення виробництва NCE Power (Wuxi NCE Power Semiconductor), корпус TO-220-3L. Гранична напруга стік–витік Vds – 60 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 50 А при Tc 25 °C і 35.4 А при Tc 100 °C, імпульсний Idm – 90 А. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 20 мОм при Vgs 10 В і Id 20 А (типове значення 14 мОм). Заряд затвора Qg – 50 нКл при Vds 30 В, Id 20 А, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2050 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 1.4–2.5 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА. Потужність розсіювання – 85 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте тип каналу, Vds, Id, Rds(on) при тому самому Vgs, заряд затвора Qg і корпус. Якщо Qg у заміни суттєво більший, перевірте, чи впорається драйвер затвора. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Силові ключі
- Жорстко комутовані та високочастотні схеми
- Джерела безперебійного живлення
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| FIR60N06P | канал N = N, Vds 60 ≥ 60, Id(25 °C) 80 ≥ 0.8×50=40, Rds(on) Vgs 10 В typ 6.2 ≤ 1.3×20=26 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | перед заміною порівняйте datasheet, зокрема заряд затвора | Купити |
| TTP95N68A | канал N = N, Vds 68 ≥ 60, Id(25 °C) 95 ≥ 0.8×50=40, Rds(on) Vgs 10 В typ 6.5 ≤ 1.3×20=26 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | перед заміною порівняйте datasheet, зокрема заряд затвора | Купити |
| S60N12R | канал N = N, Vds 60 ≥ 60, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×50=40, Rds(on) Vgs 10 В typ 4.5 ≤ 1.3×20=26 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | перед заміною порівняйте datasheet, зокрема заряд затвора | Купити |
| FHP120N08 | канал N = N, Vds 80 ≥ 60, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×50=40, Rds(on) Vgs 10 В typ 6 ≤ 1.3×20=26 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | перед заміною порівняйте datasheet, зокрема заряд затвора | Купити |
| RU6199R | канал N = N, Vds 60 ≥ 60, Id(25 °C) 200 ≥ 0.8×50=40, Rds(on) Vgs 10 В typ 2.8 ≤ 1.3×20=26 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | драйвер: заряд затвора більший у два рази і більше | Купити |
| IRFB3206 | канал N = N, Vds 60 ≥ 60, Id(25 °C) 210 ≥ 0.8×50=40, Rds(on) Vgs 10 В typ 2.4 ≤ 1.3×20=26 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | драйвер: заряд затвора більший у два рази і більше; це демонтаж | Купити |
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 60, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×50=40, Rds(on) Vgs 10 В typ 3.5 ≤ 1.3×20=26 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | драйвер: заряд затвора більший у два рази і більше | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити NCE6050A?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 60 В, зі струмом Id і опором Rds(on) при Vgs 10 В не гіршими за наведені вище. У каталозі є кілька варіантів, вони наведені в таблиці аналогів.
Як перевірити MOSFET мультиметром?
Виміряйте опір між стоком і витоком у обидва боки: у справного транзистора діод корпусу проводить в один бік. Між затвором і двома іншими виводами опір має бути дуже великим.
Який струм витримує NCE6050A при нагріві корпусу?
50 А при Tc 25 °C і 35.4 А при Tc 100 °C. Для довгої роботи під навантаженням орієнтуйтесь на друге значення і подбайте про радіатор.
Документація виробника: NCE6050A (NCE).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.