Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 5R199P ( IPP50R199CP ) оригінал, TO220
216,20 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
5R199P (IPP50R199CP) – оригінальний N-канальний польовий транзистор Infineon CoolMOS CP на 500 В і 17 А в корпусі TO-220.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 17 А при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11 А при Tc 100 °C |
| Опір Rds(on) | 0.18 Ом (тип.), 0.199 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 9,9 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–3.5 В |
| Потужність Pd | 139 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 1800 пФ |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
5R199P – це маркування транзистора IPP50R199CP, N-канального MOSFET Infineon серії CoolMOS CP в корпусі PG-TO220. Напруга стік–витік Vds – 500 В (мінімум, при Id 250 мкА, Vgs 0; 550 В при максимальній температурі переходу). Струм стоку Id – 17 А при Tc 25 °C і 11 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.18 Ом (типово) і 0.199 Ом (максимум) при Vgs 10 В, Id 9,9 А і Tj 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) – 2.5–3.5 В. Вхідна ємність Ciss типово 1800 пФ. Потужність розсіювання Pd – 139 Вт при Tc 25 °C, діапазон температур –55…+150 °C. Вбудований діод є.
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівнюйте канал (потрібен N), напругу від 500 В, струм і опір каналу при Vgs 10 В, а також корпус і розпіновку. Перед заміною звіряйте datasheet. Відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення (SMPS)
- Корекція коефіцієнта потужності (CCM PFC)
- ШІМ-перетворювачі для ATX, адаптерів ноутбуків, PDP та LCD-телевізорів
Чим замінити 5R199P?
Потрібен N-канальний транзистор у TO-220 з напругою від 500 В, струмом не нижче за свій і Rds(on) при Vgs 10 В не гіршим за 0.199 Ом. Взаємозамінність перевіряйте за datasheet.
Що означає маркування 5R199P?
Це маркування транзистора IPP50R199CP (Infineon, CoolMOS CP, корпус PG-TO220).
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує 5R199P?
17 А при Tc 25 °C і 11 А при Tc 100 °C. Це струм при заданій температурі корпусу, тому в схемі потрібен радіатор.
Документація виробника: IPP50R199CP (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.