Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS20N50A оригінал, TO247
150,40 ₴
33 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
33 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CS20N50A – оригінальний N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-247 на 500 В, 20 А. Не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 20 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А) | 0,28 Ом (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 220 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
CS20N50A – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-247, оригінал. Параметри наведено за даташитом CS20N50A (LingXun) для корпусу TO-247: напруга стік–витік Vdss 500 В, струм стоку Id 20 А, імпульсний струм Idm 100 А (TC = 25 °C). Опір відкритого каналу Rds(on) типово 0,24 Ом, не більше 0,28 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А). Порогова напруга Vgs(th) від 3 до 5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА), напруга затвор–витік ±30 В. Заряд затвора Qg типово 38 нКл (ID = 20 А, VDD = 250 В, VGS = 10 В), вхідна ємність Ciss типово 2200 пФ (VDS = 25 В, f = 1 МГц). Розсіювана потужність Pd 220 Вт (TC = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус 0,54 °C/Вт, температура переходу до 150 °C. Вбудований діод є: VSD макс. 1,4 В при ISD = 20 А.
Стан: оригінал, не демонтаж. За даташитом такі транзистори застосовують у силових ключах адаптерів і зарядних пристроїв. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал, Vdss, Id, Rds(on) при VGS = 10 В, корпус і розпіновку; якщо Qg у заміни суттєво більший, може знадобитися інший драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- силові ключі адаптерів і зарядних пристроїв
Чим замінити CS20N50A?
Конкретну заміну ми не називаємо. Порівнюйте канал, Vds не нижче 500 В, струм Id, Rds(on) при VGS = 10 В, корпус і розпіновку за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є у транзистора вбудований діод?
Так. VSD макс. 1,4 В при ISD = 20 А.
Який заряд затвора?
Qg типово 38 нКл при ID = 20 А, VDD = 250 В, VGS = 10 В. Враховуйте це при виборі драйвера.
Документація виробника: CS20N50A (LingXun / LX Micro), Rev:01.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.