Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DHS020N88 оригінал, TO220
84,60 ₴
90 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
90 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
DHS020N88 – N-канальний польовий транзистор на 85 В у корпусі TO-220 з низьким опором каналу. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 85 В мін. при Id 250 мкА, Vgs 0 В |
| Опір Rds(on) | 2.3 мОм макс. при Vgs 10 В, Id 80 А |
| Поріг Vgs(th) | 2–4 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 185 нКл тип. при Id 120 А, Vds 40 В, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 14489 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Jiangsu Donghai Semiconductor (WXDH) |
| Стан | Оригінал |
DHS020N88 – N-канальний MOSFET виробництва Jiangsu Donghai Semiconductor (WXDH) у корпусі TO-220. Напруга стік–витік Vds – від 85 В (мін., Id 250 мкА, Vgs 0 В). Опір відкритого каналу Rds(on) – до 2.3 мОм для TO-220 при Vgs 10 В, Id 80 А (тип. 1,9 мОм). Поріг відкривання Vgs(th) – 2–4 В (тип. 3 В) при Vds=Vgs, Id 250 мкА. Заряд затвора Qg – 185 нКл (тип.) при Id 120 А, Vds 40 В, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 14489 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц). Максимальна температура переходу – 150 °C. Вбудований діод: Vsd до 1,2 В при Is 65 А, trr 89 нс (тип.), Qrr 101 нКл (тип.).
Це оригінал. Для заміни дивіться на канал (потрібен N), напругу Vds не нижче 85 В, Rds(on) при Vgs 10 В, струм при тій самій температурі корпусу та корпус TO-220. Заряд затвора тут великий, тому перевірте, чи потягне його драйвер. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Синхронне випрямлення в SMPS
- Жорстке перемикання та швидкі схеми
- Електроінструмент
- UPS
- Керування двигунами
Чим замінити DHS020N88?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 85 В і Rds(on) не гіршим при Vgs 10 В. Точну заміну з нашого каталогу підібрати за цими параметрами поки не вдалося, порівнюйте за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи потрібен потужний драйвер затвора?
Заряд затвора Qg – 185 нКл (тип.) при Id 120 А, Vds 40 В, Vgs 10 В. Це великий заряд, тому драйвер має швидко його віддавати й забирати.
Чи є у DHS020N88 вбудований діод?
Так: Vsd до 1,2 В при Is 65 А, trr 89 нс (тип.), Qrr 101 нКл (тип.).
Документація виробника: DHS020N88/E/I Datasheet V2.0, Rev. 1.1.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор DHG50T65 оригінал (заміна для G50T65DS , DHG50T65DS ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jiangsu Donghai Semiconductor (WXDH) |
| Корпус | TO-247S-3L |
| Напруга Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм Ic | 100 А (Tc 25 °C); 50 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 200 А |
| Vce(sat) | 2.0 В тип. (Vge 15 В, Ic 50 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 86 нКл (тип., Vce 520 В, Ic 50 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2528 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE65TF099T оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Junction |
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 38 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 24 А |
| Опір Rds(on) | 109 мОм макс. (VGS=10 В, ID=19 А; typ 89 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл typ. (VDS=480 В, ID=38 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2800 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 322 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | швидкий, trr typ. 180 нс (Tj 25 °C, IF=19 А) |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.