Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор XNF30N65T оригінал, TO220F
134,89 ₴
9 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
9 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
XNF30N65T – оригінальний IGBT-транзистор у корпусі TO-220F. Його використовують у вентиляторах, портативних накопичувачах енергії та промислових приводах електродвигунів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Напруга колектор-емітер | 650 В (за даними клієнта) |
| Струм | 30 А |
| Vce(sat) | 1.75 В (тип., Tj=25 °C) |
| Vge(th) | 5.4 В (тип., Tj=25 °C) |
| Час витримки КЗ | 5 мкс (VGE=15 В, Tj=150 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
XNF30N65T – IGBT-транзистор на 650 В у корпусі TO-220F. Параметри взято з каталогу серії IGBT Discrete Devices (розділ TO-220F): струм 30 А (температуру корпусу в каталозі не вказано), напруга насичення Vce(sat) 1.75 В (типове значення при Tj=25 °C, струм не вказано), порогова напруга Vge(th) 5.4 В (типова, Tj=25 °C). Час витримки короткого замикання – 5 мкс при VGE=15 В, Tj=150 °C. Максимальна температура переходу – 175 °C.
Це оригінальна деталь, не демонтаж. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня. Перед підбором заміни порівняйте корпус TO-220F і ключові параметри в datasheet: у каталозі серії наведено лише частину значень, тому умови для струму 30 А уточнюйте в документі виробника. Серед прямих замін за даними виробника згадується XNT30N65T; у нашому каталозі її зараз немає.
Де застосовують
- Вентилятори
- Портативні накопичувачі енергії
- Промислові приводи електродвигунів
Чим замінити XNF30N65T?
Виробник називає пряму заміну XNT30N65T. Перед заміною порівняйте корпус і параметри в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить для приводів електродвигунів та вентиляторів?
Так, ці сфери застосування вказано для серії: вентилятори, портативні накопичувачі енергії, промислові приводи електродвигунів.
Який струм у XNF30N65T?
30 А за таблицею каталогу серії; температуру корпусу, для якої вказано цей струм, каталог не наводить.
Документація виробника: Каталог IGBT Discrete Devices, TO-220 Series (стор. 5 каталогу).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.