Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор FHP80N07 оригінал , TO220

164,50 ₴

9 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

9 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

FHP80N07 – оригінальний N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-220. За даташитом найближчої деталі: 68 В, 80 А, Rds(on) до 8,5 мОм.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss68 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C)80 А
Струм стоку Id (TC = 100 °C)56 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 40 А)8,5 мОм (макс.)
Порогова напруга Vgs(th)2,0…4,0 В
Заряд затвора Qg73 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss3200 пФ (тип.)
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)110 Вт
Температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал
Опис

FHP80N07 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-220, оригінал. Точного даташиту на FHP80N07 не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої деталі FHP80N07A (FeiHong): напруга стік–витік Vdss 68 В (мінімум при VGS = 0 В і ID = 250 мкА), струм стоку Id 80 А при TC = 25 °C (обмежено температурою переходу) і 56 А при TC = 100 °C, імпульсний струм Idm 320 А. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 7 мОм, не більше 8,5 мОм (VGS = 10 В, ID = 40 А). Порогова напруга Vgs(th) від 2,0 до 4,0 В, напруга затвор–витік ±25 В. Заряд затвора Qg типово 73 нКл (VDS = 48 В, ID = 40 А, VGS = 10 В), вхідна ємність Ciss типово 3200 пФ (VDS = 25 В, f = 1,0 МГц). Розсіювана потужність Pd 110 Вт (TC = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус Rthjc не більше 1,3 °C/Вт, температура переходу до 175 °C.

Стан: оригінал, не демонтаж. За даташитом такі транзистори застосовують у керуванні живленням в інверторних системах, у DC-DC перетворювачах, імпульсних блоках живлення та керуванні двигунами постійного струму. Замінюючи деталь, порівнюйте канал (N), напругу Vdss, струм стоку, Rds(on) при тому самому VGS і корпус TO-220. Заряд затвора Qg також має бути близьким, інакше драйвер може керувати новим транзистором інакше. Нижче в таблиці – транзистори з нашого складу, які пройшли це порівняння. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • керування живленням в інверторних системах
  • DC-DC перетворювачі та імпульсні блоки живлення
  • керування двигунами постійного струму
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
PDP8974 канал N = N, Vds 80 ≥ 68, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×80=64, Rds(on) Vgs 10 В max 3.2 ≤ 1.3×8.5=11.1 мОм, корпус TO-220 = TO-220 перевірте розпіновку та умови охолодження на платі Купити
FHP120N08 канал N = N, Vds 80 ≥ 68, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×80=64, Rds(on) Vgs 10 В max 8 ≤ 1.3×8.5=11.1 мОм, корпус TO-220 = TO-220 перевірте розпіновку та умови охолодження на платі Купити
NCE82H140 канал N = N, Vds 82 ≥ 68, Id(25 °C) 140 ≥ 0.8×80=64, Rds(on) Vgs 10 В max 4.3 ≤ 1.3×8.5=11.1 мОм, примітка: драйвер (Qg удвічі більший), корпус TO-220 = TO-220 драйвер: заряд затвора Qg удвічі більший, перевірте керування затвором Купити
NCEP85T16 канал N = N, Vds 85 ≥ 68, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×80=64, Rds(on) Vgs 10 В max 3.1 ≤ 1.3×8.5=11.1 мОм, корпус TO-220 = TO-220 перевірте розпіновку та умови охолодження на платі Купити
G042N10 канал N = N, Vds 100 ≥ 68, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×80=64, Rds(on) Vgs 10 В max 4.2 ≤ 1.3×8.5=11.1 мОм, корпус TO-220 = TO-220 драйвер: заряд затвора Qg удвічі більший, перевірте керування затвором Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити FHP80N07?

Дивіться таблицю аналогів на сторінці: там транзистори TO-220 зі складу, у яких напруга, струм і Rds(on) не гірші за потрібні. Перед заміною порівняйте їх даташити.

Це оригінал чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Який опір відкритого каналу?

Типово 7 мОм, не більше 8,5 мОм при VGS = 10 В і ID = 40 А.

Звідки параметри FHP80N07?

Точного даташиту на FHP80N07 не знайшли. Параметри взято з даташиту найближчої деталі FHP80N07A (FeiHong) у корпусі TO-220. Точний збіг усіх значень не гарантуємо.

Datasheet

Найближчий datasheet: FHP80N07A (FeiHong).

Точного даташиту на FHP80N07 не знайдено. Параметри взято з даташиту на FHP80N07A.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Найближчий datasheet: FHP80N07A (FeiHong) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор CS20N65 оригінал, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id20 А (безперервний)
Rds(on)0.35 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)3.0–4.0 В
Заряд затвора Qg80 нКл (VDD = 520 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність Pd272 Вт при Tc 25 °C
Вхідна ємність Ciss2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.5 В
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)202 А
Струм Id (100 °C)143 А
Rds(on)3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А
Vgs(th)2–4 В при Id 250 мкА
Qg103.6 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd271 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
ВиробникIPS
СтанОригінал

Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET (CoolMOS)
V(BR)DSS500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Струм Id16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C)
Qg66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А)
Вхідна ємність Ciss1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Ptot160 Вт (Tc 25 °C)
Vgs±20 В
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.