Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор CRJQ30N60G2F оригінал, TO247

319,60 ₴

2 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

2 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

CRJQ30N60G2F – N-канальний Super Junction MOSFET 600 В, 83 А у корпусі TO-247-3L, оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникCRMICRO
Тип каналуN (Super Junction)
Напруга Vds600 В мін. (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку ID (25 °C)83 А (TC = 25 °C)
Струм стоку ID (100 °C)55 А (TC = 100 °C)
Опір Rds(on)28 мОм тип., 33 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 42 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)3,2–4,6 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg165 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 480 В, ID = 42 А)
Вхідна ємність Ciss6000 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц)
Потужність Pd595 Вт (TC = 25 °C)
Tj max150 °C
Напруга затвор–витік Vgs±30 В
Час відновлення діода trr192 нс тип. (diF/dt = 100 А/мкс)
КорпусTO-247
СтанОригінал
Опис

CRJQ30N60G2F – N-канальний польовий транзистор Super Junction виробництва CRMICRO у корпусі TO-247-3L зі швидким діодом корпусу (ultra-fast body diode). Напруга Vds – 600 В мін. (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку ID – 83 А при TC = 25 °C і 55 А при TC = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 28 мОм тип., 33 мОм макс. при VGS = 10 В, ID = 42 А, Tj 25 °C; 67 мОм при Tj 150 °C. Порогова напруга Vgs(th) – 3,2–4,6 В. Заряд затвора Qg – 165 нКл тип. при VGS = 10 В, VDS = 480 В, ID = 42 А. Вхідна ємність Ciss типово 6000 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц). Час відновлення діода trr – 192 нс тип. при diF/dt = 100 А/мкс. Потужність Pd – 595 Вт при TC = 25 °C, Tj max – 150 °C.

Оригінал, не демонтаж. Для заміни звіряйте канал (N), корпус TO-247-3L, Vds не нижче 600 В, струм при 100 °C, Rds(on) при VGS = 10 В і заряд затвора: якщо Qg більший, перевірте драйвер. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • LED/LCD/PDP-телевізори та монітори, освітлення
  • Сонячні інвертори, ДБЖ
  • Зарядні пристрої
  • Імпульсні блоки живлення
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити CRJQ30N60G2F?

Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-247-3L з Vds не нижче 600 В, співставним струмом при TC = 100 °C (у цієї деталі 55 А) і Rds(on) при VGS = 10 В. Порівнюйте за datasheet.

Для яких схем підходить?

За даними документа, для блоків живлення телевізорів і моніторів, освітлення, сонячних інверторів, ДБЖ, зарядних пристроїв та імпульсних блоків живлення.

Що особливого в цьому транзисторі?

Швидкий діод корпусу: trr 192 нс тип. при diF/dt = 100 А/мкс.

Datasheet

Документація виробника: CRJQ30N60G2F (CRMICRO).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

CRJQ30N60G2F (CRMICRO) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN (режим збагачення)
Напруга Vds80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd345 Вт (TC 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (DC)15 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура каналу Tch150 °C
Напруга Vgss±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.