Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал

P35NF65 ( SVSP35NF65P7D3 ) оригінальний транзистор, TO247

194,58 ₴

34 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

34 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

P35NF65 (SVSP35NF65P7D3) – оригінальний N-канальний Super Junction MOSFET Silan Microelectronics у корпусі TO-247-3L для силових перетворювачів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Super Junction
Напруга Vds650 В (Tj 25 °C)
Опір Rds(on)85 мОм тип. / 100 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 17,5 А, Tj 25 °C)
Поріг Vgs(th)2,5–4,5 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg139 нКл тип. (Vdd 520 В, Vgs 10 В, Id 35 А)
Вхідна ємність Ciss2923 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Tj max150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSilan Microelectronics
СтанОригінал
Опис

P35NF65 (SVSP35NF65P7D3) – N-канальний польовий транзистор Super Junction виробництва Silan Microelectronics у корпусі TO-247-3L. Напруга Vds – 650 В при Tj 25 °C. Опір Rds(on) – 85 мОм типове і 100 мОм максимальне при Vgs 10 В, Id 17,5 А, Tj 25 °C. Поріг Vgs(th) – 2,5–4,5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Заряд затвора Qg – 139 нКл (типове) при Vdd 520 В, Vgs 10 В, Id 35 А. Вхідна ємність Ciss типово 2923 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц). Tj max – 150 °C.

Деталь оригінальна, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте з вашою деталлю канал, Vds, Id, Rds(on) при Vgs 10 В, заряд затвора Qg і корпус TO-247: якщо Qg заміни значно більший, перевірте драйвер затвора. Параметри вказані за даташитом SVSP35NF65P7D3 Rev 1.2. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Силові перетворювачі з високим ККД
  • Схеми з жорстким і м'яким перемиканням
Часто питають
Чим замінити P35NF65?

Підбирайте N-канальний MOSFET у TO-247 з Vds не нижче 650 В, Rds(on) не гірше 100 мОм при Vgs 10 В. Якщо Qg заміни помітно більший за 139 нКл, перевірте драйвер затвора.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Яке керування затвором потрібне?

Поріг Vgs(th) – 2,5–4,5 В при Id 250 мкА, Rds(on) нормується при Vgs 10 В. Заряд затвора Qg – 139 нКл (типове), тож драйвер має вміти заряджати затвор таким зарядом.

Що означає SVSP35NF65P7D3 у назві?

Це повне позначення цієї деталі в даташиті Silan; на корпусі маркування P35NF65.

Datasheet

Документація виробника: SVSP35NF65P7D3 Rev 1.2.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

SVSP35NF65P7D3 Rev 1.2 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

IGBT-транзистор G60T60AK3HD оригінал ( CRG60T60AK3HD ), TO247(Заміна для G60T60AK3SD , CRG60T60AK3SD )

В наявності

134,42 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В (Tc 25 °C)
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Розсіювана потужність Ptot403 Вт
Напруга насичення Vce(sat)1.85 В тип. / 2.4 В макс. (60 А, 15 В)
КорпусTO-247
Вбудований діодє (антипаралельний)
Робоча температура Tj-40…+150 °C
СтанОригінал

Мікросхема NSI6602AD оригінал ( NSI6602A-DSWR , NSI66 02AD , NS16602AD , NS166 02AD ), sow16

В наявності

86,01 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникNOVOSENSE
КорпусSOIC-16 (wide body)
Ізоляція5700 В (RMS), 1 хв, UL1577
Піковий струм (джерело)4 А на кожен вихід
Піковий струм (стік)6 А на кожен вихід
Живлення VDDI3–5,5 В
Живлення VDDA/VDDB7–25 В
Затримка поширення25 нс (тип.)
CMTI150 кВ/мкс (тип.)
Робоча температура-40…125 °C
СтанОригінал

Схожі товари

Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (CoolMOS P7)
Напруга Vds600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max
Струм стоку Id48 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)30 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА)
Заряд затвора Qg67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В)
Вхідна ємність Ciss2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц)
Потужність Pd164 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор CS20N65 оригінал, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id20 А (безперервний)
Rds(on)0.35 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)3.0–4.0 В
Заряд затвора Qg80 нКл (VDD = 520 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN (режим збагачення)
Напруга Vds80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd345 Вт (TC 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds500 В
Струм Id21 А (при 25 °C, макс.)
Імпульсний струм Id63 А (макс.)
Опір Rds(on)190 мОм (Vgs 10 В, макс.)
Заряд затвору Qg95 нКл (тип., Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.1–3.9 В
Потужність Ptot208 Вт (макс.)
Rth(j-c)0.6 К/Вт (макс.)
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.