Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор P24N60FJD ( SVSP24N60FJDD2 ) оригінал, TO220F
143,35 ₴
9 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
9 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
P24N60FJD (SVSP24N60FJDD2) – N-канальний польовий транзистор Super Junction виробництва Silan у корпусі TO-220F. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канал, Super Junction |
| Виробник | Silan |
| Напруга Vds | 600 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А (Tc=25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15 А (Tc=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.14 Ом типово (VGS=10 В, ID=12 А); максимум 0.16 Ом |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VGS=VDS, ID=250 мкА) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Вхідна ємність Ciss | 1480 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
P24N60FJD (SVSP24N60FJDD2) – N-канальний польовий транзистор Super Junction виробництва Silan у корпусі TO-220F (за документом – TO-220FJD-3L). Напруга Vds – 600 В при VGS=0 В, ID=250 мкА. Струм стоку Id – 24 А при Tc=25 °C і 15 А при Tc=100 °C. Опір Rds(on) типово 0.14 Ом при VGS=10 В, ID=12 А, максимум 0.16 Ом. Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В при VGS=VDS, ID=250 мкА. Максимальна температура переходу Tj – 150 °C. Вбудований діод є: VSD максимум 1.4 В при IS=24 А. Вхідна ємність Ciss типово 1480 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц).
Оригінал, не демонтаж. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня. Якщо шукаєте заміну, порівнюйте напругу, струм, Rds(on), корпус і розпіновку з вашою схемою за документом SVSP24N60FJDD2 (Silan). Застосування: силові перетворювачі з високим ККД і високою густиною потужності; підходить для жорстких і м'яких топологій перемикання.
Де застосовують
- Силові перетворювачі з високим ККД і високою густиною потужності.
- Підходить для жорстких і м'яких топологій перемикання.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити P24N60FJD?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з тією самою розпіновкою: Vds не нижче 600 В, Id не менше 24 А при 25 °C, Rds(on) не гірше 0.14 Ом при VGS=10 В. Перед заміною порівняйте дані за документом.
Чи підходить для імпульсних перетворювачів?
За документом деталь призначена для силових перетворювачів і підходить для жорстких і м'яких топологій перемикання.
Чим відрізняється SVSP24N60FJDD2 від P24N60FJD?
Це та сама деталь: SVSP24N60FJDD2 – повне позначення, P24N60FJD – маркування на корпусі.
Документація виробника: SVSP24N60FJD(T)D2 Rev 1.6 (Silan).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.