Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор 6060V5 ( GN6060V5DP-E ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P

169,20 ₴

2 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

2 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

6060V5 ( GN6060V5DP-E ) – IGBT-транзистор у корпусі TO-3P. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

6060V5 ( GN6060V5DP-E ) – IGBT-транзистор (біполярний транзистор з ізольованим затвором) у корпусі TO-3P. Такі деталі використовують як силові ключі в перетворювачах, інверторах і блоках живлення. Ця сторінка описує одну конкретну позицію: Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. У назві також вказано позначення GN6060V5DP-E. Електричні параметри цієї моделі (робочу напругу, струм, спад напруги у відкритому стані, наявність вбудованого діода) ми не публікуємо, поки не підтверджено їх за документацією виробника.

Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, візьміть точне маркування з корпусу вашої деталі та порівняйте його з документацією виробника: важливі допустима напруга колектор–емітер, струм колектора, спад напруги у відкритому стані, наявність діода в корпусі та розпіновка виводів. Корпус має збігатися з TO-3P. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня. Якщо не впевнені у сумісності, напишіть нам маркування вашої плати або старої деталі, і ми допоможемо звірити.

Часто питають
Чим замінити 6060V5?

Аналоги за параметрами ми не підбираємо, бо параметри 6060V5 не підтверджені документацією. Для заміни звірте напругу, струм, наявність діода та розпіновку за документацією виробника.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати та перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Який корпус у 6060V5?

Корпус TO-3P.

Як швидко відправляєте?

Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор K20T60 ( IKP20N60T ) оригінал, TO220

В наявності

213,85 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В
Струм Ic (100 °C)28 А
Струм Ic (25 °C)41 А
Імпульсний струм Icp60 А
Vce(sat)1,5 В typ, 2,05 В max (VGE = 15 В, Ic = 20 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot166 Вт (TC = 25 °C)
Tj max175 °C
СтанОригінал

IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)65 А
Струм колектора Ic (100 °C)40 А
Напруга насичення Vce(sat)1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C
Вбудований швидкий діодє
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-3P
Вхідна ємність Cies2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор NCE30TD60BT оригінал, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)60 А
Струм Ic (100 °C)30 А
Vce(sat) (тип., 25 °C)1,7 В
Час зворотного відновлення діода trr178 нс
КорпусTO-247
ВиробникWuxi NCE Power
СтанОригінал

IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi NCE Power
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Потужність Pd (25 °C)316 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.7 В
Заряд затвора Qg262 нКл
Вхідна ємність Cies7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 60 А, 25 °C)1.7 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.