Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Транзистор H15ME1 ( IHW15N120E1 ) , TO247

197,40 ₴

2 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

2 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

H15ME1 (IHW15N120E1) – IGBT-транзистор Infineon зі зворотним діодом для резонансних схем, корпус TO-247.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
Напруга Vce1200 В (Tvj 25 °C)
Струм Ic30 А (Tc 25 °C), 15 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм45 А
Vce(sat) typ1,50 В (VGE 15 В, Ic 15 А, Tvj 25 °C)
Vge(th) typ5,8 В
Vge±20 В
Qg typ90 нКл
Вхідна ємність Cies810 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Ptot156 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-247
Опис

IHW15N120E1 (маркування H15ME1) – IGBT-транзистор Infineon у корпусі TO-247 (PG-TO247-3) з монолітним зворотним діодом. Він призначений для резонансного м'якого перемикання. Напруга колектор-емітер Vce – 1200 В при Tvj 25 °C. Постійний струм колектора Ic – 30 А при Tc 25 °C (обмежений Tvjmax) і 15 А при Tc 100 °C. Імпульсний струм колектора – 45 А. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,50 В при VGE 15 В, Ic 15 А, Tvj 25 °C. Вбудований діод має пряму напругу Vf 1,90 В (типово) при VGE 0 В, If 15 А, Tvj 25 °C. Розсіювана потужність Ptot – 156 Вт при Tc 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 810 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц).

Якщо шукаєте заміну, порівнюйте не лише Vce та струм, а й наявність вбудованого діода, корпус і Vce(sat): у резонансних схемах від цього залежать втрати. Заряд затвора Qg типово 90 нКл при Vcc 960 В, Ic 15 А, Vge 15 В – враховуйте це при виборі драйвера. Порогова напруга Vge(th) типово 5,8 В при Ic 0,5 мА, Vce = Vge. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою, відправка в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Індукційне нагрівання (індукційні плити)
  • Інверторні мікрохвильові печі
  • Резонансні перетворювачі
  • М'яко-комутаційні (soft-switching) застосування
Часто питають
Чим замінити IHW15N120E1?

Шукайте IGBT у корпусі TO-247 зі зворотним діодом, з Vce не нижче 1200 В і струмом Ic не нижче 15 А при Tc 100 °C. Обов'язково порівняйте Vce(sat) і datasheet.

Що означає маркування H15ME1?

Це маркування на корпусі IHW15N120E1, воно вказане в datasheet Infineon.

Чи є в транзисторі вбудований діод?

Так, монолітний зворотний діод: Vf типово 1,90 В при VGE 0 В, If 15 А, Tvj 25 °C.

Для яких пристроїв підходить IHW15N120E1?

Для індукційних плит, інверторних мікрохвильових печей і резонансних перетворювачів.

Datasheet

Документація виробника: IHW15N120E1 Datasheet Rev.2.1.

Статус виробництва не підтверджено, час спаду tf та енергія вимикання Eoff не вказані.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

IHW15N120E1 Datasheet Rev.2.1 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникAlpha and Omega Semiconductor (AOS)
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (Product Summary)60 А
Vce(sat) typ1.85 В при Ic=60 А
Vge(th) typ5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА
Заряд затвора Qg75 нКл
Вхідна ємність Cies3288 пФ
Час спаду tf16 нс
Стійкість до КЗ tsc10 мкс
Тепловий опір перехід-корпус0.3 °C/Вт
Діапазон Tj, Tstg-55…150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)20 А
Струм Ic (25 °C)35 А (розрахунок за формулою виробника)
Імпульсний струм Icp75 А
Vce(sat)2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C)
Потужність Ptot125 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал

IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)60 А
Струм Ic (25 °C)80 А (обмежено виводами, кристал 60 А)
Імпульсний струм Icp240 А
Vce(sat)1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot375 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Tj max175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипЗворотно-провідний IGBT (soft switching)
Напруга Vce1200 В
Струм Ic (25 °C)50 А
Струм Ic (100 °C)25 А
Потужність Ptot (25 °C)365 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.6 В
Заряд затвора Qg60.7 нКл
Вхідна ємність Cies2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 25 А, 25 °C)1.5 В
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.