Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQF7N65 оригінал (7A,650V)(заміна для MDF7N65B , SW7N65, TF7N65 , AOTF7N65 , PF7N65F , JCS7N65FB , KF7N65 , KF7N65F , LGM7N65C , TSF7N65M , PW7N65F ), TO220F
69,56 ₴
56 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
56 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FQF7N65 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) на 7 А і 650 В у корпусі TO220F, оригінал. Параметри – за даташитом CS7N65F A9D.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vdss | 650 В |
| Струм Id | 7 А (Tc = 25 °C) |
| Опір каналу Rds(on) | 1,4 Ом макс. (VGS = 10 В) |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл (тип.) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc = 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
FQF7N65 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) в ізольованому корпусі TO220F. Точного даташиту на FQF7N65 не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі CS7N65F A9D (Huajing): напруга стік–витік Vdss 650 В, струм стоку Id 7 А при Tc = 25 °C (4,5 А при Tc = 100 °C), імпульсний струм 28 А, напруга затвор–витік ±30 В. Опір відкритого каналу Rds(on) не більше 1,4 Ом, типово 0,98 Ом (VGS = 10 В, ID = 3,5 А). Порогова напруга Vgs(th) від 2,0 до 4,0 В, заряд затвора Qg 28 нКл (тип.). Потужність розсіювання Pd 40 Вт (Tc = 25 °C), температура переходу до 150 °C. Затвор захищений вбудованими стабілітронами.
За даташитом такі транзистори ставлять силовими ключами в адаптери живлення і зарядні пристрої. Деталь оригінальна, не демонтаж. За назвою товару FQF7N65 може замінити MDF7N65B, SW7N65, TF7N65, AOTF7N65, PF7N65F, JCS7N65FB, KF7N65, KF7N65F, LGM7N65C, TSF7N65M і PW7N65F. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Перед монтажем звірте розпіновку з платою: за даташитом 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- адаптери живлення
- зарядні пристрої
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити FQF7N65?
У назві товару вказано, що FQF7N65 може замінити MDF7N65B, SW7N65, TF7N65, AOTF7N65, PF7N65F, JCS7N65FB, KF7N65, KF7N65F, LGM7N65C, TSF7N65M і PW7N65F. Зворотна заміна не завжди можлива. Якщо підбираєте іншу деталь, беріть N-канальний MOSFET у корпусі TO220F з напругою не нижче 650 В і струмом не нижче 7 А і звіряйте datasheet.
Яка розпіновка у FQF7N65?
За даташитом CS7N65F A9D у корпусі TO220F: 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік. Перед монтажем звірте з платою.
Звідки параметри FQF7N65?
Точного даташиту на FQF7N65 не знайшли. Параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі – CS7N65F A9D (Huajing). Точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Найближчий datasheet: CS7N65F A9D (Huajing).
Точного даташиту на FQF7N65 не знайдено. Найближчий схожий даташит – CS7N65F A9D (Huajing).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.